SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: TAKAI, Tomoo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 15.12.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This substrate for a semiconductor device is provided with: an insulating plate having a first surface and a second surface; a first copper plate, bonded to the first surface of the insulating plate, for forming an electroconductive pattern; and, a second copper plate bonded to the second surface of the insulating plate. A plurality of recesses are formed on the first copper plate and/or the second copper plate. The diameter D1 of the opening of each of the recesses is smaller than the maximum diameter D2 inward of the opening of the recess. L'invention concerne un substrat pour dispositif à semi-conducteur comportant : une plaque isolante ayant une première surface et une seconde surface ; une première plaque de cuivre, liée à la première surface de la plaque isolante, pour former un motif électriquement conducteur ; et une seconde plaque de cuivre liée à la seconde surface de la plaque isolante. Une pluralité d'évidements sont formés sur la première plaque de cuivre et/ou la seconde plaque de cuivre. Le diamètre D1 de l'ouverture de chacun des évidements est inférieur au diamètre maximal D2 vers l'Intérieur de l'ouverture de l'évidement. 本発明に係る半導体装置用基板は、第１面及び第２面を有する絶縁板と、前記絶縁板の第１面に接合され、導電パターンを形成するための第１銅板と、前記絶縁板の第２面に接合される第２銅板と、を備え、前記第１銅板及び第２銅板の少なくとも一方に複数の凹部が形成され、前記各凹部の開口の径Ｄ１が、当該凹部の開口よりも内部の最大径Ｄ２よりも小さい。