PRESSURE-CONTACT-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SHIOTA Hiroki, MOTOMIYA Tetsuo, TAJIRI Kunihiko, KADOWAKI Kazutake
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 15.12.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention is constituted by: a base plate electrode (1) that is a conductor; a top plate electrode (2); a semiconductor chip (4) disposed on the base plate electrode (1); a first flexible insulator (9) disposed on the base plate electrode (1) so as to surround the semiconductor chip (4); a frame (3) disposed between the first flexible insulator (9) and the top plate electrode (2); an elastic conductor (6) and a current-carrying block (8) which are electrically connected to the semiconductor chip (4) by pressure contact force produced by a pressure contact mechanism; and, a second flexible insulator (10) which is closely attached so as to cover the entirety of a chip termination section of the semiconductor chip (4). The present invention is characterized in that: pressure is applied between the base plate electrode (1) and the top plate electrode (2), thereby enabling electrical connection between the base plate electrode (1) and the top plate electrode (2) with the semiconductor chip (4), the elastic conductor (6), and the current-carrying block (8) interposed therebetween; and, an end section of the semiconductor chip is covered by the first flexible insulator (9) and the second flexible insulator (10) without any gap. La présente invention est constituée par : une électrode de plaque de base (1) qui est un conducteur ; une électrode de plaque supérieure (2) ; une puce à semi-conducteur (4) disposée sur l'électrode de plaque de base (1) ; un premier isolant flexible (9) disposé sur l'électrode de plaque de base (1) de manière à entourer la puce à semi-conducteur (4) ; un cadre (3) disposé entre le premier isolant flexible (9) et l'électrode de plaque supérieure (2) ; un conducteur élastique (6) et un bloc de transport de courant (8) qui sont électriquement connectés à la puce à semi-conducteur (4) par une force de contact par pression produite par un mécanisme de contact par pression ; et un second isolant flexible (10) qui est étroitement fixé de manière à recouvrir la totalité d'une section de terminaison de puce de la puce à semi-conducteur (4). La présente invention est caractérisée en ce que : une pression est appliquée entre l'électrode de plaque de base (1) et l'électrode de plaque supérieure (2), ce qui permet une connexion électrique entre l'électrode de plaque de base (1) et l'électrode de plaque supérieure (2) avec la puce à semi-conducteur (4), le conducteur élastique (6), et le bloc de transport de courant (8) intercalé entre celles-ci ; et, une section d'extrémité de la puce à semi-conducteur est recouverte par le premier isolant flexible (9) et le second isolant flexible (10) sans aucun espace. 導体であるベース板電極（１）、天板電極（２）、ベース板電極（１）上に配置される半導体チップ（４）、ベース板電極（１）上に配置され、半導体チップ（４）を取り囲むように配置される第一の可撓性絶縁体（９）、第一の可撓絶縁体（９）と天板電極（２）との間に配置されるフレーム（３）、圧接機構による圧接力により半導体チップ（４）と導通する弾性導体（６）および通電ブロック（８）、半導体チップ（４）のチップ終端部全体を覆うように密着する第二の可撓性絶縁体（１０）、で構成され、ベース板電極（１）と天板電極（２）との間に、圧力をかけることにより、半導体チップ（４）、弾性導体（６）、通電ブロック（８）を介してベース板電極（１）と天板電極（２）との間の電気的接続を可能とするとともに、第一の可撓性絶縁体（９）と第二の可撓性絶縁体（１０）とで、半導体チップの端部が隙間なく覆われていることを特徴とする。