SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: YAMANO, Akio
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 08.12.2022
• Subjects: APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CONTROL OR REGULATION THEREOF; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERATION; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device comprising a first conductive pattern and a second conductive pattern which are provided on a main surface of an insulating substrate, and a first semiconductor element and a second semiconductor element which are each disposed on the first conductive pattern. The first conductive pattern includes a first input region overlapping the first semiconductor element, and a second input region overlapping the second semiconductor element. An output electrode of the first semiconductor element and an output electrode of the second semiconductor element are interconnected by means of a first wiring member. An output electrode of the second semiconductor element and the second conductive pattern are interconnected by means of a second wiring member. The ratio of a current that flows from the second input region to the second conductive pattern via the second semiconductor element, with respect to a current that flows from the first input region to the second conductive pattern via the first semiconductor element, is 0.90 to 1.10 inclusive. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un premier motif conducteur et un second motif conducteur qui sont disposés sur une surface principale d'un substrat isolant, et un premier élément semi-conducteur et un second élément semi-conducteur qui sont chacun disposés sur le premier motif conducteur. Le premier motif conducteur comprend une première région d'entrée chevauchant le premier élément semi-conducteur, et une seconde région d'entrée chevauchant le second élément semi-conducteur. Une électrode de sortie du premier élément semi-conducteur et une électrode de sortie du second élément semi-conducteur sont interconnectées au moyen d'un premier élément de câblage. Une électrode de sortie du second élément semi-conducteur et le second motif conducteur sont interconnectés au moyen d'un second élément de câblage. Le rapport d'un courant qui circule de la seconde région d'entrée au second motif conducteur par l'intermédiaire du second élément semi-conducteur, par rapport à un courant qui circule de la première région d'entrée au second motif conducteur par l'intermédiaire du premier élément semi-conducteur, est de 0,90 à 1,10 inclus. 半導体装置は、絶縁基板の主面に設けられた第１導電パターンおよび第２導電パターンと、第１導電パターン上に各々配置された第１半導体素子および第２半導体素子とを備える。第１導電パターンは、第１半導体素子と重なる第１入力領域と、第２半導体素子と重なる第２入力領域とを含む。第１半導体素子の出力電極と、第２半導体素子の出力電極とは、第１配線部材によって相互に接続される。第２半導体素子の出力電極と第２導電パターンとは、第２配線部材によって相互に接続されている。第１入力領域から第１半導体素子を経由して第２導電パターンに流れる電流に対する、第２入力領域から第２半導体素子を経由して第２導電パターンに流れる電流の比は、０．９０以上１．１０以下である。