INTEGRATED EPITAXY AND PRECLEAN SYSTEM

• Main Authors: LEE, Songjae, CHOPRA, Saurabh, HUANG, Yi-Chiau, VELLAIKAL, Manoj, WU, Chen-Ying, DAVEY, Eric
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 01.12.2022
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Embodiments of the present disclosure generally relate to an integrated substrate processing system for cleaning a substrate surface and subsequently performing an epitaxial deposition process thereon. A processing system includes a film formation chamber, a transfer chamber coupled to the film formation chamber, and an oxide removal chamber coupled to the transfer chamber, the oxide removal chamber having a substrate support. The processing system includes a controller configured to introduce a process gas mixture into the oxide removal chamber, the process gas mixture including a fluorine-containing gas and a vapor including at least one of water, an alcohol, an organic acid, or combinations thereof. The controller is configured to expose a substrate positioned on the substrate support to the process gas mixture, thereby removing an oxide film from the substrate. Des modes de réalisation de la présente invention concernent généralement un système de traitement de substrat intégré pour le nettoyage d'une surface de substrat et la réalisation ultérieure d'un procédé de dépôt épitaxial sur celle-ci. Un système de traitement comprend une chambre de formation de film, une chambre de transfert couplée à la chambre de formation de film, et une chambre d'élimination d'oxyde couplée à la chambre de transfert, la chambre d'élimination d'oxyde ayant un support de substrat. Le système de traitement comprend un dispositif de commande configuré pour introduire un mélange de gaz de traitement dans la chambre d'élimination d'oxyde, le mélange de gaz de traitement comprenant un gaz contenant du fluor et une vapeur comprenant au moins l'un parmi l'eau, un alcool, un acide organique ou des combinaisons de ceux-ci. Le dispositif de commande est configuré pour exposer un substrat positionné sur le support de substrat au mélange de gaz de traitement, ce qui permet de retirer un film d'oxyde du substrat.