SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NISHIHARA, Hiroki, MIYASE, Takaya, HONKE, Tsubasa, ENOKIZONO, Taro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.12.2022
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

According to the present invention, a silicon carbide epitaxial substrate comprises a silicon carbide substrate and a silicon carbide epitaxial layer. A plurality of square regions are composed of a plurality of outer peripheral regions, which are positioned on the outermost peripheries of the plurality of square regions, and a plurality of central regions, which are surrounded by the plurality of outer peripheral regions. If the maximum value of LTIR of the silicon carbide epitaxial substrate in the plurality of outer peripheral regions is defined as a first value, and the maximum value of LTIR of the silicon carbide epitaxial substrate in the plurality of central regions is defined as a second value, the value obtained by dividing the first value by the second value is from 0.8 to 1.2. The area density of pits in a second main surface is 0.5 per cm2 or less. La présente invention concerne un substrat épitaxial de carbure de silicium qui comprend un substrat de carbure de silicium et une couche épitaxiale en carbure de silicium. Une pluralité de régions carrées sont constituées d'une pluralité de régions périphériques externes, qui sont positionnées sur les périphéries les plus à l'extérieur de la pluralité de régions carrées, et une pluralité de régions centrales, qui sont entourées par la pluralité de régions périphériques externes. Si la valeur maximale de relevé laser LTIR du substrat épitaxial de carbure de silicium dans la pluralité de régions périphériques externes est définie comme étant une première valeur, et la valeur maximale de relevé laser LTIR du substrat épitaxial de carbure de silicium dans la pluralité de régions centrales est définie en tant que seconde valeur, la valeur obtenue en divisant la première valeur par la seconde valeur est de 0,8 à 1,2. La densité de surface de puits dans une seconde surface principale est de 0,5 per cm2 ou moins. 炭化珪素エピタキシャル基板は、炭化珪素基板と、炭化珪素エピタキシャル層と有している。複数の正方領域は、複数の正方領域の最外周に位置する複数の外周領域と、複数の外周領域に囲まれた複数の中央領域とにより構成されている。複数の外周領域における炭化珪素エピタキシャル基板のＬＴＩＲの最大値を第１値とし、複数の中央領域における炭化珪素エピタキシャル基板のＬＴＩＲの最大値を第２値とした場合、第２値で第１値を除した値は、０．８以上１．２以下である。第２主面におけるピットの面密度は、０．５個／ｃｍ2以下である。