MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC DETECTION SYSTEM

• Main Authors: ONAKA, Kazuhiro, KOHARA, Naoki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.11.2022
• Subjects: ELECTRICITY; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; TESTING

The purpose of the present disclosure is to improve the accuracy of detecting the orientation of a magnetic field which is applied to a magnetic sensor. A magnetic sensor (100) comprises: a first half-bridge circuit (H1); a second half-bridge circuit (H2); and a holding member. The first half-bridge circuit (H1) includes: a first magnetoresistive effect element (Mr1); and a second magnetoresistive effect element (Mr2). The second half-bridge circuit (H2) includes: a third magnetoresistive effect element; and a fourth magnetoresistive effect element. The first magnetoresistive effect element (Mr1) detects a magnetic field extending along an X-axis. The second magnetoresistive effect element (Mr2) detects a magnetic field extending along a Y-axis. The third magnetoresistive effect element detects a magnetic field extending along a first axis (V-axis). The fourth magnetoresistive effect element detects the magnetic field extending along a second axis (W-axis). L'objectif de la présente invention est d'améliorer la précision de détection de l'orientation d'un champ magnétique qui est appliqué à un capteur magnétique. Un capteur magnétique (100) comprend : un premier circuit en demi-pont (H1) ; un second circuit en demi-pont (H2) ; et un élément de maintien. Le premier circuit en demi-pont (H1) comprend : un premier élément à effet magnétorésistif (Mr1) ; et un deuxième élément à effet magnétorésistif (Mr2). Le second circuit en demi-pont (H2) comprend : un troisième élément à effet magnétorésistif ; et un quatrième élément à effet magnétorésistif. Le premier élément à effet magnétorésistif (Mr1) détecte un champ magnétique s'étendant le long d'un axe X. Le second élément à effet magnétorésistif (Mr2) détecte un champ magnétique s'étendant le long d'un axe Y. Le troisième élément à effet magnétorésistif détecte un champ magnétique s'étendant le long d'un premier axe (axe V). Le quatrième élément à effet magnétorésistif détecte le champ magnétique s'étendant le long d'un second axe (axe W). 本開示は、磁気センサに印加される磁界の向きの検知精度を向上させることを目的とする。磁気センサ（１００）は、第１ハーフブリッジ回路（Ｈ１）と、第２ハーフブリッジ回路と、保持部材と、を備える。第１ハーフブリッジ回路（Ｈ１）は、第１磁気抵抗効果素子（Ｍｒ１）及び第２磁気抵抗効果素子（Ｍｒ２）を有する。第２ハーフブリッジ回路は、第３磁気抵抗効果素子及び第４磁気抵抗効果素子を有する。第１磁気抵抗効果素子（Ｍｒ１）は、Ｘ軸に沿った磁界を検知する。第２磁気抵抗効果素子（Ｍｒ２）は、Ｙ軸に沿った磁界を検知する。第３磁気抵抗効果素子は、第１軸（Ｖ軸）に沿った磁界を検知する。第４磁気抵抗効果素子は、第２軸（Ｗ軸）に沿った磁界を検知する。