SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS

• Main Authors: YAMAMOTO Atsushi, YUKAWA Tomiyuki, KAMATANI Ryosuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS; OPTICS; PHYSICS; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present technology relates to a semiconductor chip, a method for manufacturing the same, and an electronic apparatus with which it is possible to improve reliability and durability. This semiconductor chip comprises a solid-state imaging element such as a CIS (CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor), a glass substrate installed on the solid-state imaging element, and a lens formed on the glass substrate. The glass substrate has a groove part, which has a depth of L1-L2, around a region where the lens is formed. The present technology can be applied to, inter alia, a WCSP (wafer level chip size package) semiconductor chip having a solid-state imaging element such as a CIS, for example. La présente technologie concerne une puce à semi-conducteur, son procédé de fabrication et un appareil électronique avec lesquels il est possible d'améliorer la fiabilité et la durabilité. Cette puce à semi-conducteur comprend un élément d'imagerie à semi-conducteurs (capteur d'image CMOS [semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire]), un substrat en verre installé sur l'élément d'imagerie à semi-conducteurs et une lentille formée sur le substrat en verre. Le substrat en verre a une partie de rainure, qui a une profondeur de L1-L2, autour d'une région où la lentille est formée. La présente technologie peut être appliquée, entre autres, à une puce à semi-conducteur WCSP (boîtier de taille de puce à niveau de tranche) ayant un élément d'imagerie à semi-conducteurs tel qu'un CIS, par exemple. 本技術は、信頼性や耐久性を向上させることができるようにする半導体チップおよびその製造方法、並びに電子機器に関する。 半導体チップは、CIS（CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) Image sensor）等の固体撮像素子と、固体撮像素子上に設置されたガラス基板と、ガラス基板上に形成されたレンズとを備える。ガラス基板は、レンズが形成される領域の周囲に深さがＬ１－Ｌ２である溝部を有する。本技術は、例えば、CIS等の固体撮像素子を有するWCSP(Wafer Level Chip Size Package)である半導体チップ等に適用できる。