MICRO-LED

• Main Authors: BROELL, Markus, LHEUREUX, Guillaume, TONKIKH, Alexander, HAHN, Berthold
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 17.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A lateral micro-light emitting diode includes a first semiconductor layer, an active region on the first semiconductor layer and including one or more quantum well layers configured to emit light, a p-type semiconductor region on a first lateral region (e.g., a central region) of the active region, and an n-type semiconductor region on a second lateral region (e.g., peripheral regions) of the active region, where the n-type semiconductor region and the p-type semiconductor region are on a same side of the active region. Une microdiode électroluminescente latérale comprend une première couche semi-conductrice, une région active sur la première couche semi-conductrice et comprenant une ou plusieurs couches de puits quantique conçues pour émettre de la lumière, une région semi-conductrice de type p sur une première région latérale (par exemple, une région centrale) de la région active, et une région semi-conductrice de type n sur une seconde région latérale (par exemple, des régions périphériques) de la région active, la région semi-conductrice de type n et la région semi-conductrice de type p étant sur un même côté de la région active.