PASSIVE ELECTRONIC COMPONENT SUPPORT SUBSTRATE, PASSIVE ELECTRONIC COMPONENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, MATCHING CIRCUIT AND FILTER CIRCUIT

• Main Authors: ITO, Korekiyo, HARADA, Masatomi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE; SEMICONDUCTOR DEVICES; WAVEGUIDES

A passive electronic component support substrate 1 comprises: a semiconductor substrate 10; a charge-trapping layer 11 provided on the semiconductor substrate 10 and having a high density of crystal defects in relation to the semiconductor substrate 10; and an insulation layer 21 provided on the charge-trapping layer 11. The insulation layer 21 comprises a silicon nitride. The N atom concentration ratio to the total amount of Si and N contained in the insulation layer 21 is 45 atom% or less. Alternatively, the insulation layer 21 includes: a first insulation layer 21A that is provided on the charge-trapping layer 11; and a second insulation layer 21B that is provided on the first insulation layer 21A. The internal fixed charge polarities in the first insulation layer 21A and the second insulation layer 21B are opposite. The thickness of the first insulation layer 21 is 0.5-3 nm inclusive. L'invention concerne un substrat de support de composant électronique passif 1 comprenant : un substrat semi-conducteur 10 ; une couche de piégeage de charge 11 disposée sur le substrat semi-conducteur 10 et ayant une densité élevée de défauts cristallins par rapport au substrat semi-conducteur 10 ; et une couche d'isolation 21 disposée sur la couche de piégeage de charges 11. La couche d'isolation 21 comprend du nitrure de silicium. Le rapport de concentration d'atome N à la quantité totale de Si et N contenu dans la couche d'isolation 21 est de 45 % atomique ou moins. En variante, la couche d'isolation 21 comprend : une première couche d'isolation 21A qui est disposée sur la couche de piégeage de charges 11 ; et une seconde couche d'isolation 21B qui est disposée sur la première couche d'isolation 21A. Les polarités de charge fixe interne dans la première couche d'isolation 21A et la seconde couche d'isolation 21B sont opposées. L'épaisseur de la première couche d'isolation est de 0,5 à 3 nm inclus. 受動電子部品用の支持基板１は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に設けられ、半導体基板１０に対して結晶欠陥の密度が高い電荷トラップ層１１と、電荷トラップ層１１上に設けられた絶縁層２１と、を備える。絶縁層２１はシリコン窒化物からなり、絶縁層２１に含有されるＳｉとＮの総量に対するＮの原子濃度比が４５ａｔｏｍ％以下である。あるいは、絶縁層２１は、電荷トラップ層１１上に設けられた第１絶縁層２１Ａと、第１絶縁層２１Ａ上に設けられた第２絶縁層２１Ｂと、を含み、第１絶縁層２１Ａと第２絶縁層２１Ｂで内部の固定電荷の極性が逆であり、第１絶縁層２１Ａの厚みが０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下である。