SEMICONDUCTOR DEVICE AND MODULE

• Main Authors: IMAMURA, Yuta, KAGAWA, Takeshi, ITO, Korekiyo, HARADA, Masatomi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A capacitor 1, which is an embodiment of a semiconductor device, comprises a substrate 10, a circuit layer 20, and first resin bodies 30. The first resin bodies 30 are respectively provided, in a plan view from a thickness direction T, between an end of the substrate 10 and a first external electrode 27, and between the end of the substrate 10 and a second external electrode 28. In the thickness direction T, leading ends of the first resin body 30 on the side opposite to the substrate 10 are higher than those of the first external electrode 27 and the second external electrode 28 on the side opposite to the substrate 10. In a cross-sectional view from a direction perpendicular to the thickness direction T, a side surface of the resin body 30 on a first external electrode 27 side or a second external electrode 28 side gets closer to the side surface opposite to the substrate 10 from the substrate 10 side toward a surface of the first resin body 30 on a side at an end side of the substrate 10, and the surface of the first resin body 30 on the side at the end side of the substrate 10 is made to tower with respect to a first main surface 10a of the substrate 10. La présente divulgation concerne un condensateur 1, qui est un mode de réalisation d'un dispositif à semi-conducteur, qui comprend un substrat 10, une couche de circuit 20 et des premiers corps en résine 30. Les premiers corps en résine 30 sont respectivement prévus, dans une vue en plan à partir d'une direction d'épaisseur T, entre une extrémité du substrat 10 et une première électrode externe 27, et entre l'extrémité du substrat 10 et une deuxième électrode externe 28. Dans la direction de l'épaisseur T, des extrémités avant du premier corps en résine 30 sur le côté opposé au substrat 10 sont supérieures à celles de la première électrode externe 27 et de la deuxième électrode externe 28 sur le côté opposé au substrat 10. Dans une vue en coupe transversale à partir d'une direction perpendiculaire à la direction d'épaisseur T, une surface latérale du corps en résine 30 sur un côté de la première électrode externe 27 ou un côté de la deuxième électrode externe 28 se rapproche de la surface latérale opposée au substrat 10 depuis le côté du substrat 10 vers une surface du premier corps en résine 30 sur un côté au niveau d'un côté d'extrémité du substrat 10, et la surface du premier corps en résine 30 sur le côté au niveau du côté d'extrémité du substrat 10 est amenée à dépasser par rapport à une première surface principale 10a du substrat 10. 半導体装置の一実施形態であるキャパシタ１は、基板１０と、回路層２０と、第１樹脂体３０と、を備える。第１樹脂体３０は、厚み方向Ｔからの平面視において基板１０の端部と第１外部電極２７との間、及び、基板１０の端部と第２外部電極２８との間にそれぞれ設けられ、厚み方向Ｔにおいて、第１樹脂体３０の基板１０とは反対側の先端は、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の基板１０とは反対側の先端よりも高い位置にあり、厚み方向Ｔに垂直な方向からの断面視において、第１樹脂体３０の第１外部電極２７又は第２外部電極２８側の側面は、基板１０側から基板１０とは反対側に向かって第１樹脂体３０の基板１０の端部側の側面に近づき、かつ、第１樹脂体３０の基板１０の端部側の側面は、基板１０の第１主面１０ａに対して切り立っている。