SEMICONDUCTOR DEVICE AND MODULE

• Main Authors: IMAMURA, Yuta, ITO, Korekiyo, HARADA, Masatomi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A capacitor 1, which is an embodiment of this semiconductor device, comprises a substrate 10, a circuit layer 20, and first resin bodies 30. The circuit layer 20 has: a first electrode layer 22 which is provided on the substrate 10 side; a second electrode layer 24 which is provided facing the first electrode layer 22; a dielectric layer 23 which is provided between the first electrode layer 22 and the second electrode layer 24 in the thickness direction T; a first external electrode 27 which is drawn out to the surface of the circuit layer 20 on the opposite side from the substrate 10; and a second external electrode 28 which is drawn out to the surface of the circuit layer 20 on the opposite side from the substrate 10, and which is provided separately from the first external electrode 27. The first resin bodies 30 are provided at four corners of the substrate 10 in a planar view from the thickness direction T. In the thickness direction T, the ends of the first resin bodies 30 on the opposite side from the substrate 10 are at higher positions than the ends of the first external electrode 27 and the second external electrode 28 on the opposite side from the substrate 10. L'invention concerne un condensateur 1, qui est un mode de réalisation de ce dispositif à semi-conducteur, comprend un substrat 10, une couche de circuit 20 et des premiers corps en résine 30. La couche de circuit 20 comprend : une première couche d'électrode 22 qui est disposée sur le côté du substrat 10 ; une seconde couche d'électrode 24 qui est disposée en regard de la première couche d'électrode 22 ; une couche diélectrique 23 qui est disposée entre la première couche d'électrode 22 et la seconde couche d'électrode 24 dans la direction de l'épaisseur T ; une première électrode externe 27 qui est tirée vers la surface de la couche de circuit 20 sur le côté opposé au substrat 10 ; et une seconde électrode externe 28 qui est tirée vers la surface de la couche de circuit 20 sur le côté opposé au substrat 10, et qui est disposée séparément de la première électrode externe 27. Les premiers corps de résine 30 sont disposés au niveau de quatre coins du substrat 10 dans une vue en plan à partir de la direction d'épaisseur T dans la direction d'épaisseur T, les extrémités des premiers corps de résine 30 sur le côté opposé du substrat 10 sont à des positions plus élevées que les extrémités de la première électrode externe 27 et de la seconde électrode externe 28 sur le côté opposé au substrat 10. 半導体装置の一実施形態であるキャパシタ１は、基板１０と、回路層２０と、第１樹脂体３０と、を備える。回路層２０は、基板１０側に設けられた第１電極層２２と、第１電極層２２に対向して設けられた第２電極層２４と、厚み方向Ｔにおいて第１電極層２２と第２電極層２４との間に設けられた誘電体層２３と、回路層２０の基板１０とは反対側の表面に引き出された第１外部電極２７と、回路層２０の基板１０とは反対側の表面に引き出され、第１外部電極２７と離隔して設けられた第２外部電極２８と、を有する。第１樹脂体３０は、厚み方向Ｔからの平面視において基板１０の四隅に設けられ、厚み方向Ｔにおいて、第１樹脂体３０の基板１０とは反対側の先端は、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の基板１０とは反対側の先端よりも高い位置にある。