REPLACEMENT GATE FORMATION IN MEMORY

• Main Author: GRAETTINGER, Thomas M
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present disclosure includes methods for replacement gate formation in memory, and apparatuses and systems including memory formed accordingly. An embodiment includes forming a first oxide material in an opening through alternating layers of a second oxide material and a nitride material. An array of openings can be formed through the first oxide material formed in the opening. The layers of the nitride material can be removed. A metal material can be formed in voids resulting from the removal of the layers of the nitride material. La présente divulgation porte sur des procédés permettant de former une grille de remplacement dans une mémoire, et sur des appareils et des systèmes comprenant une mémoire formée de cette façon. Un mode de réalisation consiste à former un premier matériau d'oxyde dans une ouverture à travers des couches alternées d'un second matériau d'oxyde et d'un matériau de nitrure. Un réseau d'ouvertures peut être formé à travers le premier matériau d'oxyde formé dans l'ouverture. Les couches du matériau de nitrure peuvent être éliminées. Un matériau métallique peut être formé dans des vides résultant de l'élimination des couches du matériau de nitrure.