SENSOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: ISOBE, Hiroshi, TAKAHASHI, Shingo, NAKANO, Michihiro, OHBA, Yoshiyuki, ITO, Takuya, MIYOSHI, Yasufumi, MIYAZAWA, Shinji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A sensor device according to the present technology comprises a semiconductor substrate on which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged by pixel unit, and on which an interpixel separating part is formed that separates between pixels using trenches formed between the pixels, and in the semiconductor substrate, the interpixel separating part is formed along a different direction from the crystal cleavage direction of the semiconductor substrate. La présente technologie concerne un dispositif de capteur qui comprend un substrat semi-conducteur sur lequel une pluralité d'éléments de conversion photoélectrique sont agencés par unité de pixel et sur lequel est formée une partie de séparation entre pixels qui sépare les pixels à l'aide de tranchées formées entre les pixels et dans le substrat semi-conducteur, la partie de séparation entre pixels est formée le long d'une direction différente de la direction de clivage de cristal du substrat semi-conducteur. 本技術に係るセンサ装置は、光電変換素子が画素単位で複数配列され、画素間に形成されたトレンチにより画素間を分離する画素間分離部が形成された半導体基板を備え、半導体基板において、画素間分離部が、半導体基板の結晶の劈開方向とは異なる方向に沿って形成されたものである。