DRIVE DEVICE FOR SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT, DRIVING METHOD THEREFOR, AND POWER CONVERSION DEVICE

• Main Authors: DOI, Masahiro, WADA, Shinichirou, SUZUKI, Hiroshi, MIZUHASHI, Yoshiaki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.11.2022
• Subjects: APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; CONTROL OR REGULATION THEREOF; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRICITY; GENERATION; PULSE TECHNIQUE

This drive device for a semiconductor switching element comprises: a gate drive circuit that drives a voltage-drive-type semiconductor switching element, and a gate-voltage-holding circuit that holds the gate voltage applied to the semiconductor switching element at a prescribed holding voltage that is greater than a threshold voltage of the semiconductor switching element and smaller than a mirror voltage of the semiconductor switching element. The gate-voltage-holding circuit starts an operation to hold the gate voltage to the holding voltage after the voltage between main terminals of the semiconductor switching element rises when the semiconductor switching element is turned off, and before the voltage between the main terminals reaches the maximum value. Le dispositif d'attaque pour élément de commutation à semi-conducteurs de l'invention comprend : un circuit d'attaque de grille qui commande un élément de commutation à semi-conducteurs de type à commande de tension, et un circuit de maintien de tension de grille qui maintient la tension de grille appliquée à l'élément de commutation à semi-conducteurs à une tension de maintien prescrite qui est supérieure à une tension de seuil de l'élément de commutation à semi-conducteur et inférieure à une tension miroir de l'élément de commutation à semi-conducteurs. Le circuit de maintien de tension de grille démarre une opération servant à maintenir la tension de grille à la tension de maintien après que la tension entre les bornes principales de l'élément de commutation à semi-conducteurs s'est élevée lorsque l'élément de commutation à semi-conducteur est passé à l'état bloqué, et avant que la tension entre les bornes principales n'atteigne la valeur maximale. 半導体スイッチング素子の駆動装置は、電圧駆動型の半導体スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路と、前記半導体スイッチング素子に印加されるゲート電圧を、前記半導体スイッチング素子の閾値電圧よりも大きく、前記半導体スイッチング素子のミラー電圧よりも小さい、所定の保持電圧に保持するゲート電圧保持回路とを備え、前記ゲート電圧保持回路は、前記半導体スイッチング素子のターンオフ時における前記半導体スイッチング素子の主端子間電圧の立ち上がり後、前記主端子間電圧が極大値となる前に、前記ゲート電圧を前記保持電圧に保持する動作を開始する。