MULTI-RESOLUTION OVERLAY METROLOGY TARGETS

• Main Authors: GRAUER, Yoav, HAJAJ, Eitan, MASLOVSKY, Eugene, EISENBACH, Shlomo, MANASSEN, Amnon, GOLOTSVAN, Anna
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.10.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A product includes at least one semiconductor substrate, multiple thin-film layers disposed on the at least one substrate, and an overlay target formed in at least one of the thin-film layers. The overlay target includes a first sub-target having a first center of symmetry and including first target features having a first linewidth, and a second sub-target having a second center of symmetry coincident with the first center of symmetry and including second target features, which have a second linewidth, greater than the first linewidth, and are adjacent to but non-overlapping with the first target features. Un produit comprend au moins un substrat semi-conducteur, de multiples couches de film mince disposées sur le ou les substrats, et une cible de superposition formée dans au moins l'une des couches de film mince. La cible de superposition comprend une première sous-cible ayant un premier centre de symétrie et comprenant des premières caractéristiques de cible ayant une première largeur de ligne, et une seconde sous-cible ayant un second centre de symétrie coïncidant avec le premier centre de symétrie et comprenant des secondes caractéristiques de cible qui présentent une seconde largeur de ligne supérieure à la première largeur de ligne et qui sont adjacentes aux premières caractéristiques de cible, mais qui ne les chevauchent pas.