METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP

• Main Authors: NÄHLE, Lars, GERHARD, Sven
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 27.10.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterchips (100) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die einen sich in eine longitudinale Richtung (93) erstreckenden aktiven Bereich (5) aufweist, der im Betrieb des Halbleiterchips zur Erzeugung von Licht (8) mit einer Abstrahlrichtung entlang der longitudinalen Richtung vorgesehen und eingerichtet ist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer Hauptoberfläche (12) mit zumindest einer Vertiefung (15), wobei die Hauptoberfläche eine Haupterstreckungsebene entlang der longitudinalen Richtung und entlang einer zur longitudinalen Richtung senkrecht stehenden transversalen Richtung (91) aufweist, Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf der Hauptoberfläche mit der zumindest einen Vertiefung, Ausbilden zumindest einer entlang der transversalen Richtung ausgerichteten Facette (6, 6', 6'', 7) in der Halbleiterschichtenfolge durch ein Ätzverfahren, wobei die Facette in zumindest einer Richtung, die parallel zur Haupterstreckungsebene der Hauptoberfläche ist, einen Abstand von kleiner oder gleich 50 µm von der zumindest einen Vertiefung aufweist. Weiterhin wird ein Licht emittierender Halbleiterchip (100) angegeben. The invention relates to a method for producing a light-emitting semiconductor chip (100) comprising a semiconductor layer sequence (2) having an active region (5) which extends in a longitudinal direction (93) and which is designed and provided to generate light (8) with a radiation direction in the longitudinal direction during operation of the semiconductor chip, wherein the method comprises the following steps: - providing a substrate (1) with a main surface (12) having at least one recess (15), wherein the main surface has a main extension plane in the longitudinal direction and in a transverse direction (91) which is perpendicular to the longitudinal direction; - growing the semiconductor layer sequence on the main surface having the at least one recess; - forming at least one facet (6, 6', 6'', 7) which is oriented in the transverse direction in the semiconductor layer sequence by means of an etching process, wherein the facet has a spacing of less than or equal to 50 µm from the at least one recess in at least one direction which is parallel to the main extension plane of the main surface. The invention also relates to a light-emitting semiconductor chip (100). L'invention concerne un procédé de production d'une puce à semi-conducteur électroluminescente (100) comprenant une séquence de couches semi-conductrices (2) ayant une région active (5) qui s'étend dans une direction longitudinale (93) et qui est conçue et prévue pour générer de la lumière (8) avec une direction de rayonnement dans la direction longitudinale pendant le fonctionnement de la puce à semi-conducteur, le procédé comprenant les étapes suivantes : - fourniture d'un substrat (1) avec une surface principale (12) comportant au moins un évidement (15), la surface principale présentant un plan d'extension principal dans la direction longitudinale et dans une direction transversale (91) qui est perpendiculaire à la direction longitudinale ; la croissance de la séquence de couches semi-conductrices sur la surface principale comportant l'au moins un évidement ; la formation d'au moins une facette (6, 6', 6'', 7) qui est orientée dans la direction transversale dans la succession de couches semi-conductrices au moyen d'un procédé de gravure, la facette ayant un espacement inférieur ou égal à 50 µm à partir de l'au moins un évidement dans au moins une direction qui est parallèle au plan d'extension principal de la surface principale. L'invention concerne également une puce à semi-conducteur électroluminescente (100).