SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SHIMA, Yukinori, HANDA, Takuya
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 20.10.2022
• Subjects: ADVERTISING; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; DISPLAYING; EDUCATION; ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; LABELS OR NAME-PLATES; PHYSICS; SEALS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SIGNS

Provided is a semiconductor device having good electrical characteristics. Provided is a highly reliable semiconductor device. This semiconductor device has a first transistor and a second transistor. The first transistor has a first semiconductor layer, a first insulation layer, a second insulation layer, and a first gate electrode laminated in this order. The first gate electrode has a region that overlaps the first semiconductor layer. The second transistor has a second semiconductor layer, a second insulation layer, and a second gate electrode laminated in this order. The second gate electrode has a region that overlaps the second semiconductor layer. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur ayant de bonnes caractéristiques électriques. Un dispositif à semi-conducteur hautement fiable est fourni. Le dispositif à semi-conducteur comprend un premier transistor et un second transistor. Le premier transistor a une première couche semi-conductrice, une première couche d'isolation, une seconde couche d'isolation et une première électrode de grille stratifiées dans cet ordre. La première électrode de grille a une région qui chevauche la première couche semi-conductrice. Le second transistor comprend une seconde couche semi-conductrice, une seconde couche isolante et une seconde électrode de grille stratifiées dans cet ordre. La seconde électrode de grille a une région qui chevauche la seconde couche semi-conductrice. 電気特性の良好な半導体装置を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有する半導体装置とする。第１のトランジスタは、第１の半導体層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１のゲート電極と、をこの順に積層して有する。第１のゲート電極は、第１の半導体層と重なる領域を有する。第２のトランジスタは、第２の半導体層と、第２の絶縁層と、第２のゲート電極と、をこの順に積層して有する。第２のゲート電極は、第２の半導体層と重なる領域を有する。