SINGLE-CRYSTAL DIAMOND AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

• Main Authors: LEE, Jin Hwa, KOBAYASHI, Yutaka, NISHIBAYASHI, Yoshiki, SUMIYA, Hitoshi, ZUO, Yikang, TERAMOTO, Minori
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.10.2022
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; CRYSTAL GROWTH; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Provided is a single-crystal diamond wherein: the half width of an X-ray diffraction rocking curve is 20 seconds or less, the half width of the X-ray diffraction rocking curve being measured using CuKα rays in X-ray diffraction by means of a double-crystal method in which a diamond crystal is used as a first crystal, with a (0004) plane parallel arrangement; the half width of a peak at the Raman shift of 1332 cm-1 to 1333 cm-1 in the Raman spectrum is 2.0 cm-1 or less; the etch pit density is 10000/cm2 or less, the etch pit density being measured by means of an etching test; and the nitrogen content in terms of the number of atoms is more than 0.1 ppm and at most 50 ppm. L'invention concerne un diamant monocristallin dans lequel la demi-largeur d'une courbe oscillante de diffraction des rayons X est inférieure ou égale à 20 secondes, laquelle demi-largeur d'une courbe oscillante de diffraction des rayons X est mesurée par un rayon ＣｕＫα, dans une diffraction des rayons X selon un procédé à deux cristaux, en mettant en œuvre un cristal de diamant dans un premier cristal, et selon une disposition parallèle à un plan (004), la demi-largeur d'un pic pour un décalage de Raman supérieur ou égal à １３３２ｃｍ－１ et inférieur ou égal à １３３３ｃｍ－１ dans un spectre de Raman est inférieure ou égale à ２,０ｃｍ－１, la densité de dislocations est inférieure ou égale à １００００／ｃｍ２, laquelle densité de dislocations est mesurée par essai d'attaque à l'acide, la teneur en azote en termes de nombre d'atomes est supérieure à ０,１ｐｐｍ et inférieure ou égale à ５０ｐｐｍ. Ｘ線回折ロッキングカーブの半値幅は、２０秒以下であり、前記Ｘ線回折ロッキングカーブの半値幅は、二結晶法によるＸ線回折において、第一結晶にダイヤモンド結晶を用い、（００４）面平行配置で、ＣｕＫα線により測定され、ラマン分光スペクトルのラマンシフト１３３２ｃｍ－１以上１３３３ｃｍ－１以下におけるピークの半値幅は、２．０ｃｍ－１以下であり、エッチピット密度は、１００００個／ｃｍ２以下であり、前記エッチピット密度は、エッチングテストにより測定され、窒素の原子数基準の含有率は、０．１ｐｐｍ超５０ｐｐｍ以下である、単結晶ダイヤモンドである。