SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: FUKUDA, Yoshinori, OSUMI, Yuji, OKUDA, Hajime
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.10.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This semiconductor device comprises: a semiconductor chip having a main surface; and a main transistor including a first system transistor and a second system transistor formed on the main surface so as to be individually controlled. The first system transistor includes a first composite cell composed of α (α≥2)-number of first unit transistors that are adjacently arranged on the main surface and that each have a first trench structure including a first electrode embedded in a first trench formed on the main surface. The second system transistor includes a second composite cell disposed adjacent to the first composite cell and composed of β (β≥2)-number of second unit transistors that are adjacently arranged on the main surface and that each have a second trench structure including a second electrode embedded in a second trench formed on the main surface. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une puce à semi-conducteur ayant une surface principale ; et un transistor principal comprenant un premier transistor de système et un second transistor de système formés sur la surface principale de façon à être commandés individuellement. Le premier transistor de système comprend une première cellule composite composée de nombre α (α≥2) de premiers transistors unitaires qui sont disposés de manière adjacente sur la surface principale et qui ont chacun une première structure de tranchée comprenant une première électrode intégrée dans une première tranchée formée sur la surface principale. Le second transistor de système comprend une seconde cellule composite disposée adjacente à la première cellule composite et composée de nombre β (β≥2) de seconds transistors unitaires qui sont disposés de manière adjacente sur la surface principale et qui ont chacun une seconde structure de tranchée comprenant une seconde électrode intégrée dans une seconde tranchée formée sur la surface principale. 半導体装置は、主面を有する半導体チップと、個別制御されるように前記主面にそれぞれ形成された第１系統トランジスタおよび第２系統トランジスタを含むメイントランジスタと、を含み、前記第１系統トランジスタは、前記主面に形成された第１トレンチに埋設された第１電極を含む第１トレンチ構造をそれぞれ有し、前記主面に隣り合って配列されたα（α≧２）個の第１単位トランジスタによって構成された第１複合セルを含み、前記第２系統トランジスタは、前記主面に形成された第２トレンチに埋設された第２電極を含む第２トレンチ構造をそれぞれ有し、前記主面に隣り合って配列されたβ（β≧２）個の第２単位トランジスタによって構成され、前記第１複合セルに隣り合って配置された第２複合セルを含む。