POLISHING COMPOSITION, POLISHING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
[Problem] To provide a means which, when used for polishing works comprising polysilicon and silicon nitride, is effective in inhibiting both insufficient polishing and dishing. [Solution] A polishing composition which comprises abrasive grains, ammonia, and at least one potassium compound selected...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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06.10.2022
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Summary: | [Problem] To provide a means which, when used for polishing works comprising polysilicon and silicon nitride, is effective in inhibiting both insufficient polishing and dishing. [Solution] A polishing composition which comprises abrasive grains, ammonia, and at least one potassium compound selected from the group consisting of potassium hydroxide and potassium salts, wherein the content of the ammonia is 0.002-0.5 mass% with respect to the whole mass of the polishing composition and the content of the potassium compound is 0.004-0.5 mass% with respect to the whole mass of the polishing composition.
Le problème décrit par la présente invention est de fournir un moyen qui, lorsqu'il est utilisé pour des travaux de polissage comprenant du silicium polycristallin et du nitrure de silicium, est efficace pour inhiber à la fois un polissage et un bombage insuffisants. La solution selon l'invention porte sur une composition de polissage qui comprend des grains abrasifs, de l'ammoniac et au moins un composé de potassium choisi dans le groupe constitué par l'hydroxyde de potassium et les sels de potassium, la teneur en ammoniac étant de 0,002 à 0,5 % en masse par rapport à la masse totale de la composition de polissage et la teneur en composé de potassium étant de 0,004 à 0,5 % en masse par rapport à la masse totale de la composition de polissage.
【課題】ポリシリコンおよび窒化ケイ素を含む研磨対象物の研磨において、研磨残りおよびディッシングの両方を抑制できる手段を提供する。 【解決手段】砥粒と、アンモニアと、水酸化カリウムおよびカリウム塩からなる群から選択される少なくとも1種のカリウム化合物とを含む研磨用組成物であって、前記アンモニアの含有量は前記研磨用組成物の総質量に対して0.002質量%以上0.5質量%以下であり、前記カリウム化合物の含有量は前記研磨用組成物の総質量に対して0.004質量%以上0.5質量%以下である、研磨用組成物。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2022JP01321 |