MICROELECTRONIC DEVICES INCLUDING CONDUCTIVE LEVELS HAVING VARYING COMPOSITIONS, AND RELATED MEMORY DEVICES, ELECTRONIC SYSTEMS, AND METHODS

• Main Authors: BALACHANDRAN, Rajesh, HOPKINS, John D, MCTEER, Everett A, KLEIN, Rita J, GREENLEE, Jordan D, WANG, Yiping, HU, Yongjun J
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 29.09.2022
• Subjects: ELECTRICITY

A microelectronic device comprises a stack structure comprising insulative levels vertically interleaved with conductive levels. The conductive levels individually comprise a first conductive structure, and a second conductive structure laterally neighboring the first conductive structure, the second conductive structure exhibiting a concentration of β-phase tungsten varying with a vertical distance from a vertically neighboring insulative level. The microelectronic device further comprises slot structures vertically extending through the stack structure and dividing the stack structure into block structures, and strings of memory cells vertically extending through the stack structure, the first conductive structures between laterally neighboring strings of memory cells, the second conductive structures between the slot structures and strings of memory cells nearest the slot structures. Related memory devices, electronic systems, and methods are also described. L'invention concerne un dispositif microélectronique comprenant une structure d'empilement comprenant des niveaux isolants entrelacés verticalement avec des niveaux conducteurs. Les niveaux conducteurs comprennent individuellement une première structure conductrice, et une seconde structure conductrice adjacente latéralement à la première structure conductrice, la seconde structure conductrice présentant une concentration de tungstène en phase β variant avec une distance verticale à partir d'un niveau isolant voisin verticalement. Le dispositif microélectronique comprend en outre des structures de fente s'étendant verticalement à travers la structure d'empilement et divisant la structure d'empilement en structures de bloc, et des chaînes de cellules de mémoire s'étendant verticalement à travers la structure d'empilement, les premières structures conductrices entre des chaînes latéralement voisines de cellules de mémoire, les secondes structures conductrices entre les structures de fentes et les chaînes de cellules de mémoire les plus proches des structures de fentes. L'invention concerne également des dispositifs de mémoire, des systèmes électroniques et des procédés associés.