METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, CLEANING DEVICE, CLEANING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: FUKUZUMI Shizu, SHIBATA Tomoaki, SHIRASAKA Toshiaki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This method for manufacturing a semiconductor device comprises: a step for preparing a first semiconductor substrate; a step for preparing a second semiconductor substrate; a step for polishing a second insulating film of the second semiconductor substrate; a step for separating the second semiconductor substrate into individual pieces, and acquiring a plurality of semiconductor chips each having an insulating film portion corresponding to the second insulating film and a second electrode; a step for aligning the second electrode of the semiconductor chip with a first electrode of the first semiconductor substrate; a step for bonding the first insulating film and the insulating film portion of the semiconductor chip to each other; and a step for joining the first electrode and the second electrode. In the step for acquiring a plurality of semiconductor chips, the second semiconductor substrate is separated into individual pieces by dicing while being cleaned with a mixed cleaning fluid in which a gas is introduced into the cleaning liquid. Ce procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprend : une étape de préparation d'un premier substrat semi-conducteur ; une étape de préparation d'un second substrat semi-conducteur ; une étape de polissage d'un second film isolant du second substrat semi-conducteur ; une étape comprenant la séparation du second substrat semi-conducteur en morceaux individuels, et l'acquisition d'une pluralité de puces semi-conductrices ayant chacune une partie de film isolant correspondant au second film isolant et une seconde électrode ; une étape d'alignement de la seconde électrode de la puce semi-conductrice avec une première électrode du premier substrat semi-conducteur ; une étape comprenant la liaison du premier film isolant et de la partie de film isolant de la puce semi-conductrice l'un à l'autre ; et une étape comprenant la jonction de la première électrode et de la seconde électrode. Dans l'étape d'acquisition d'une pluralité de puces semi-conductrices, le second substrat semi-conducteur est séparé en morceaux individuels par découpage en dés tout en étant nettoyé avec un fluide de nettoyage mélangé dans lequel un gaz est introduit dans le liquide de nettoyage. 半導体装置の製造方法は、第１半導体基板を準備する工程と、第２半導体基板を準備する工程と、第２半導体基板の第２絶縁膜を研磨する工程と、第２半導体基板を個片化し、第２絶縁膜に対応する絶縁膜部分と第２電極とをそれぞれが備えた複数の半導体チップを取得する工程と、第１半導体基板の第１電極に対して半導体チップの第２電極の位置合わせを行う工程と、第１絶縁膜と半導体チップの絶縁膜部分とを互いに貼り合わせる工程と、第１電極と第２電極とを接合する工程と、を備える。複数の半導体チップを取得する工程では、洗浄液内に気体が導入された混合洗浄流体を使用して第２半導体基板を洗浄しながら、第２半導体基板をダイシングにより個片化する。