RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION HAVING PROTECTED BASIC ORGANIC GROUP

• Main Authors: IGATA Kosuke, SHIMIZU Shou, WAKAYAMA Hiroyuki, TAMURA Mamoru
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.09.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CHEMISTRY; CINEMATOGRAPHY; COMPOSITIONS BASED THEREON; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONSONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS; MATERIALS THEREFOR; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP

Provides are: a composition for forming a resist underlayer film that enables the formation of a desired resist pattern; and a resist pattern production method and a semiconductor device manufacturing method, which use said composition for forming a resist underlayer film. The composition for forming a resist underlayer film has a basic organic group substituted with a protecting group in the repeating unit structure of a polymer containing a heterocycle, or at a terminal thereof, and further includes a solvent. The polymer may include a heterocycle containing an alkenyl group having 2-10 carbon atoms. The polymer may have, in a main chain thereof, at least one structural unit represented by formula (3). (In formula (3), A1, A2, A3, A4, A5, and A6 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group, and Q1 represents a divalent organic group including a heterocycle, and m1 and m2 each independently represent 0 or 1.) L'invention concerne : une composition pour former un film de sous-couche de réserve qui permet la formation d'un motif de réserve souhaité ; et un procédé de production de motif de réserve et un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, faisant intervenir ladite composition pour former un film de sous-couche de réserve. La composition pour former un film de sous-couche de réserve possède un groupe organique basique substitué par un groupe protecteur dans la structure de motif de répétition d'un polymère contenant un hétérocycle, ou au niveau d'une position terminale de celui-ci, et comprend en outre un solvant. Le polymère peut comprendre un hétérocycle contenant un groupe alcényle ayant de 2 à 10 atomes de carbone. Le polymère peut comporter dans une chaîne principale de celui-ci au moins un motif structural représenté par la formule (3). (Dans la formule (3), A1, A2, A3, A4, A5, et A6 représentent indépendamment chacun un atome d'hydrogène, un groupe méthyle, ou un groupe éthyle et Q1 représente un groupe organique divalent comprenant un hétérocycle, et m1 et m2 représentent chacun indépendamment 0 ou 1.) 所望のレジストパターンを形成できるレジスト下層膜を形成するための組成物、及び該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジストパターン製造方法、半導体装置の製造方法を提供する。複素環を含むポリマーの繰り返し単位構造中又は末端に、保護基で置換された塩基性の有機基を有し、さらに溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物、である。前記ポリマーは炭素原子数２～１０のアルケニル基を含む複素環を含んでよい。前記ポリマーが、下記式（３）で表される少なくとも１種の構造単位を主鎖に有してよい。 （式（３）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はエチル基を表し、Ｑ１は複素環を含む２価の有機基を表し、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立に０又は１を表す。）