IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE

• Main Authors: NAKAMURA, Yuta, FUJII, Nobutoshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is an imaging element formed by layering a plurality of semiconductor substrates, wherein it is easy to connect the semiconductor substrates to each other. The imaging element includes: a first semiconductor substrate; a second semiconductor substrate; an insulating layer; a connection section; and a recessed section. The first semiconductor substrate comprises a photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion of incident light. The second semiconductor substrate comprises a pixel circuit that generates an image signal corresponding to a charge generated by photoelectric conversion. The first semiconductor substrate is layered on the rear surface of the second semiconductor substrate. The insulating layer is disposed between the first semiconductor substrate and the second semiconductor substrate. The connection section penetrates the insulating layer and connects the first semiconductor substrate and the rear surface of the second semiconductor substrate. The recessed section is disposed in the insulating layer in a surface thereof adjacent to the second semiconductor substrate, and is formed so as to surround the connection section. L'invention concerne un élément d'imagerie formé par stratification d'une pluralité de substrats semi-conducteurs, dans lequel il est facile de connecter les substrats semi-conducteurs l'un à l'autre. L'élément d'imagerie comprend : un premier substrat semi-conducteur ; un second substrat semi-conducteur ; une couche isolante ; une section de connexion ; et une section évidée. Le premier substrat semi-conducteur comprend une unité de conversion photoélectrique qui effectue une conversion photoélectrique de lumière incidente. Le second substrat semi-conducteur comprend un circuit de pixel qui génère un signal d'image correspondant à une charge générée par conversion photoélectrique. Le premier substrat semi-conducteur est stratifié sur la surface arrière du second substrat semi-conducteur. La couche isolante est disposée entre le premier substrat semi-conducteur et le second substrat semi-conducteur. La section de connexion pénètre dans la couche isolante et connecte le premier substrat semi-conducteur et la surface arrière du second substrat semi-conducteur. La section évidée est disposée dans la couche isolante dans une surface de celle-ci adjacente au second substrat semi-conducteur, et est formée de manière à entourer la section de connexion. 複数の半導体基板が積層されて構成される撮像素子において、半導体基板同士の接続を容易に行う。撮像素子は、第１の半導体基板と、第２の半導体基板と、絶縁層と、接続部と、凹部とを有する。第１の半導体基板は、入射光の光電変換を行う光電変換部を備える。第２の半導体基板は、光電変換により生成される電荷に応じた画像信号を生成する画素回路を備えて裏面側に第１の半導体基板が積層される。絶縁層は、第１の半導体基板及び第２の半導体基板の間に配置される。接続部は、絶縁層を貫通するとともに第１の半導体基板と第２の半導体基板の裏面側とを接続する。凹部は、絶縁層における第２の半導体基板に隣接する面に配置されて接続部の周囲に形成される。