SEMICONDUCTOR LASER, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND SEMICONDUCTOR LASER MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: KIKUCHI Yuichiro, KAWANISHI Hidekazu, MIZUNO Takashi, ISOZAKI Yuta, NOZAWA Shinsuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

The present technology provides a semiconductor laser in which it is possible to inhibit an impact to the properties of the laser while inhibiting a reduction in yield.　A semiconductor laser according to the present technology comprises a resonator that has a laminated structure including a first cladding layer, a second cladding layer, and an active layer disposed between the first and second cladding layers and that has a pair of resonator end surfaces toward which the laminated structure is facing, wherein the resonator has a ridge structure extending in the lengthwise direction of the resonator on the surface thereof that is toward the second cladding layer; and a plurality of grooves are provided to at least one of a one-side section and an other-side section of the surface of the resonator that is toward the second cladding layer, the side sections being to either side of the ridge structure in plan view. La présente invention concerne un laser à semi-conducteur dans lequel il est possible d'empêcher un impact sur les propriétés du laser tout en inhibant une réduction du rendement.　Un laser à semi-conducteur selon la présente invention comprend un résonateur qui a une structure stratifiée comprenant une première couche de gainage, une seconde couche de gainage, et une couche active disposée entre les première et seconde couches de gainage et qui a une paire de surfaces d'extrémité de résonateur vers lesquelles la structure stratifiée est tournée, le résonateur ayant une structure de nervure s'étendant dans la direction longitudinale du résonateur sur la surface de celui-ci qui est vers la seconde couche de gainage ; et une pluralité de rainures sont disposées sur au moins l'une d'une section d'un côté et d'une section d'un autre côté de la surface du résonateur qui est vers la seconde couche de gainage, les sections latérales étant de chaque côté de la structure de nervure dans une vue en plan. 本技術は、レーザ特性に影響を与えることを抑制しつつ歩留まりの低下を抑制できる半導体レーザを提供する。　本技術に係る半導体レーザは、第１クラッド層と、第２クラッド層と、前記第１及び第２クラッド層の間に配置された活性層と、を含む積層構造を有し、該積層構造が対向する一対の共振器端面を有する共振器を備え、前記共振器は、共振器長方向に延びるリッジ構造を前記第２クラッド層側の表面に有し、前記共振器の前記第２クラッド層側の表面の、平面視で前記リッジ構造を挟む一側部分及び他側部分の少なくとも一方に複数の溝が設けられている。