METHOD FOR MANUFACTURING GAAS WAFER, AND GAAS WAFER GROUP

• Main Author: SUGIURA Junji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

Provided are a method for manufacturing a GaAs wafer having excellent OF orientation stability even for a GaAs wafer having an off angle, and a GaAs wafer group. A method for manufacturing a GaAs wafer, including: a polishing step for performing polishing including forming a temporary orientation flat in the circumferential surface of a GaAs ingot; a slicing step for performing slicing of the GaAs ingot that has undergone the polishing step and cutting off a raw-material wafer having an off angle; and a cleavage step for scribing the raw-material wafer in accordance with the direction of the orientation flat determined on the basis of the temporary orientation flat, and cleaving the raw-material wafer to the circumferential surface thereof, starting at the scribing, to form an orientation flat, the cleavage step comprising performing cleavage to a position at which the length (interval A) of a line segment extending perpendicularly to the circumferential surface of the raw-material wafer from the midpoint of the cleavage toward the radial outside of the raw-material wafer is 9 mm or greater. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche de GaAs ayant une excellente stabilité d'orientation OF même pour une tranche de GaAs ayant un angle de dégagement, et un groupe de tranches de GaAs. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une tranche de GaAs, comprenant : une étape de polissage pour réaliser un polissage comprenant la formation d'un plat d'orientation temporaire dans la surface circonférentielle d'un lingot de GaAs ; une étape de tranchage pour réaliser un tranchage du lingot de GaAs qui a subi l'étape de polissage et couper une tranche de matière première ayant un angle de dégagement ; et une étape de clivage pour rainurer la tranche de matière première en fonction de la direction du plat d'orientation déterminée sur la base du plat d'orientation temporaire, et cliver la tranche de matière première sur la surface circonférentielle de celle-ci, en commençant au rainurage, pour former un plat d'orientation, l'étape de clivage comprenant la réalisation d'un clivage à une position à laquelle la longueur (intervalle A) d'un segment de ligne s'étendant perpendiculairement à la surface circonférentielle de la tranche de matière première à partir du point médian du clivage vers l'extérieur radial de la tranche de matière première est de 9 mm ou plus. オフ角を有するＧａＡｓウエハにおいても、優れたＯＦ方位安定性を有するＧａＡｓウエハの製造方法およびＧａＡｓウエハ群を提供する。ＧａＡｓインゴットの周面に、仮のオリエンテーションフラットの形成を含む研削を行う研削工程と、前記研削工程を経たＧａＡｓインゴットにスライス加工を施してオフ角を有する素材ウエハを切り出すスライス工程と、前記素材ウエハに、前記仮のオリエンテーションフラットを基準にして定めるオリエンテーションフラットの向きに従って罫書きを施し、該罫書きを起点として前記素材ウエハの周面まで延びる劈開を行って、オリエンテーションフラットを形成する劈開工程と、を含み、前記劈開工程は、前記劈開の中点から前記素材ウエハの半径方向外側に向かって前記素材ウエハの周面まで垂直に延ばした線分の長さ（間隔Ａ）が９ｍｍ以上である位置に劈開を行う工程である、ＧａＡｓウエハの製造方法。