IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS

• Main Author: TAKASHINO, Hiroyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 15.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

An imaging device according to one embodiment of the present disclosure comprises: a semiconductor substrate that has opposing first and second surfaces, and that has a plurality of photoelectric conversion units in which a plurality of pixels are arranged in matrix form, and a charge corresponding to the amount of received light is generated by photoelectric conversion for each pixel; a first separation unit that is provided between adjacent pixels, and that electrically and optically separates the adjacent pixels; a second separation unit that is provided between adjacent photoelectric conversion units within a pixel, and that electrically separates adjacent photoelectric conversion units; and an electrode layer provided straddling adjacent photoelectric conversion units at the first surface side of the semiconductor substrate. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un dispositif d'imagerie qui comprend : un substrat semi-conducteur qui a des première et seconde surfaces opposées, et qui a une pluralité d'unités de conversion photoélectrique dans lesquelles une pluralité de pixels sont agencés sous forme de matrice, et une charge correspondant à la quantité de lumière reçue est générée par conversion photoélectrique pour chaque pixel ; une première unité de séparation qui est disposée entre des pixels adjacents, et qui sépare électriquement et optiquement les pixels adjacents ; une seconde unité de séparation qui est disposée entre des unités de conversion photoélectrique adjacentes à l'intérieur d'un pixel, et qui sépare électriquement des unités de conversion photoélectrique adjacentes ; et une couche d'électrode disposée à cheval sur des unités de conversion photoélectrique adjacentes au niveau du premier côté de surface du substrat semi-conducteur. 本開示の一実施形態の撮像装置は、対向する第１の面および第２の面を有し、複数の画素が行列状に配設されると共に、画素毎に受光量に応じた電荷を光電変換により生成する複数の光電変換部を有する半導体基板と、隣り合う画素間に設けられ、隣り合う画素を電気的且つ光学的に分離する第１の分離部と、画素内の隣り合う光電変換部の間に設けられ、隣り合う光電変換部を電気的に分離する第２の分離部と、半導体基板の第１の面側において隣り合う光電変換部を跨いで設けられた電極層とを備える。