SILICON CARBIDE EPITAXIAL GROWTH DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE

• Main Authors: FURUSHO, Tomoaki, NISHIMOTO, Yoichiro, HATAKENAKA, Susumu, TOMITA, Nobuyuki, TANAKA, Takanori
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 09.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The silicon carbide epitaxial growth device of the present disclosure comprises a substrate placement member (10) on which a semiconductor substrate (50) having a circular outer circumference part is placed, and a plug (20) mounted on the substrate placement member (10), wherein the substrate placement member (10) has a placement member substrate support unit (12) having a first substrate support surface (12a) that supports an outer edge region (51) of the back surface of the semiconductor substrate (50), and a placement member substrate facing unit (13) having a placement member substrate facing surface (13a) facing, across a gap, the inside surface of the outer edge region (51) of the semiconductor substrate (50). The plug (20) has the same height as the first substrate support surface (12a), and has a plug substrate support unit (22) having a second substrate support surface (22a) that supports a region not supported by the first substrate support surface (12a) of the outer edge region (51) of the semiconductor substrate (50), and that is continuously connected to the first substrate support surface (12a) at both ends. Le dispositif de croissance épitaxiale de carbure de silicium de la présente invention comprend un élément de placement de substrat (10) sur lequel un substrat semi-conducteur (50) ayant une partie de circonférence externe circulaire est placé, et un bouchon (20) monté sur l'élément de placement de substrat (10), l'élément de placement de substrat (10) comprend une unité de support de substrat d'élément de placement (12) ayant une première surface de support de substrat (12a) qui supporte une région de bord externe (51) de la surface arrière du substrat semi-conducteur (50), et une unité de face de substrat d'élément de placement (13) ayant une surface faisant face au substrat d'élément de placement (13a) faisant face, à travers un espace, la surface intérieure de la région de bord externe (51) du substrat semi-conducteur (50). Le bouchon (20) a la même hauteur que la première surface de support de substrat (12a), et a une unité de support de substrat de bouchon (22) ayant une seconde surface de support de substrat (22a) qui supporte une région qui n'est pas supportée par la première surface de support de substrat (12a) de la région de bord externe (51) du substrat semi-conducteur (50), et qui est reliée en continu à la première surface de support de substrat (12a) aux deux extrémités. 本開示の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置は、円形外周部を有する半導体基板（５０）を載置する基板載置部材（１０）と、基板載置部材（１０）に搭載されるプラグ（２０）とを備える炭化ケイ素エピタキシャル成長装置であって、基板載置部材（１０）は、半導体基板（５０）の裏面の外縁領域（５１）を支持する第１の基板支持面（１２ａ）を有する載置部材基板支持部（１２）と、半導体基板（５０）の外縁領域（５１）の内側の面と離隔して対向する載置部材基板対向面（１３ａ）を有する載置部材基板対向部（１３）とを有し、プラグ（２０）は、第１の基板支持面（１２ａ）と同じ高さであり、半導体基板（５０）の外縁領域（５１）のうち第１の基板支持面（１２ａ）で支持されない領域を支持し、その両端で第１の基板支持面（１２ａ）と連続してつながる第２の基板支持面（２２ａ）を有するプラグ基板支持部（２２）を有する。