PHOTODETECTOR AND ELECTRONIC APPARATUS

• Main Authors: YAMAMOTO Atsushi, YUKAWA Tomiyuki, IKEHARA Shigehiro, NISHIMURA Kotaro, MORIYA Yusuke, OTANI Shogo, KATO Hiroshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present disclosure pertains to a photodetector and an electronic apparatus that enable the reduction of surface reflection of an on-chip microlens and the suppression of image quality degradation. Provided is a photodetector that has a plurality of pixels having a photoelectric conversion part, an on-chip microlens formed corresponding to each pixel, and an antireflection film formed on the surface of the on-chip microlens, the antireflection film being configured by stacking a first inorganic film formed of a metal oxide film and a second inorganic film formed on the surface of the first inorganic film and having a refractive index lower than that of the first inorganic film. The present disclosure can be applied, for example, to a CMOS-type solid-state imaging device. La présente divulgation concerne un photodétecteur et un appareil électronique qui permettent la réduction de la réflexion de surface d'une microlentille sur puce et l'inhibition de la dégradation de la qualité d'image. La divulgation concerne un photodétecteur qui a une pluralité de pixels ayant une partie de conversion photoélectrique, une microlentille sur puce formée correspondant à chaque pixel, et un film antireflet formé sur la surface de la microlentille sur puce, le film antireflet étant conçu par empilement d'un premier film inorganique formé d'un film d'oxyde métallique et d'un second film inorganique formé sur la surface du premier film inorganique et ayant un indice de réfraction inférieur à celui du premier film inorganique. La présente divulgation peut être appliquée, par exemple, à un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs de type CMOS. 本開示は、オンチップマイクロレンズの表面反射を低減し、画質の劣化を抑制することができるようにする光検出装置及び電子機器に関する。 光電変換部を有する複数の画素と、各画素に対応して形成されたオンチップマイクロレンズと、オンチップマイクロレンズの表面上に形成された反射防止膜とを有し、反射防止膜は、金属酸化膜で形成される第１の無機膜と、第１の無機膜の表面上に形成され、第１の無機膜よりも屈折率が低い第２の無機膜とを積層して構成される光検出装置が提供される。本開示は、例えば、CMOS型の固体撮像装置に適用することができる。