SUBSTRATE TEMPERATURE NON-UNIFORMITY REDUCTION OVER TARGET LIFE USING SPACING COMPENSATION

• Main Authors: KALATHIPARAMBIL, Kishor Kumar, ZHANG, Fuhong, RIKER, Martin Lee, BANGALORE UMESH, Suhas, ZHONG, Lanlan, RAO, Preetham, PETHE, Shirish A
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 25.08.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Methods and apparatus for processing a plurality of substrates are provided herein. In some embodiments, a method of processing a plurality of substrates in a physical vapor deposition (PVD) chamber includes: performing a series of reflow processes on a corresponding series of substrates over at least a portion of a life of a sputtering target disposed in the PVD chamber, wherein a substrate-to-target distance in the PVD chamber and a support-to-target distance within the PVD chamber are each controlled as a function of the life of the sputtering target. L'invention concerne des procédés et appareils de traitement d'une pluralité de substrats. Dans certains modes de réalisation, un procédé de traitement d'une pluralité de substrats dans une chambre de dépôt physique en phase vapeur (PVD) comprend : la réalisation d'une série d'opérations de refusion sur une série correspondante de substrats pendant au moins une partie de la durée de vie d'une cible de pulvérisation disposée dans la chambre de dépôt physique en phase vapeur, une distance du substrat à la cible dans la chambre de dépôt physique en phase vapeur et une distance du support à la cible à l'intérieur de la chambre de dépôt physique en phase vapeur étant chacune régulée en fonction de la durée de vie de la cible de pulvérisation.