RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION CONTAINING POLYMER THAT HAS SIDE CHAIN BLOCKED WITH ARYL GROUP

• Main Authors: SHIMIZU Shou, TAMURA Mamoru, HIROHARA Tomotada
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.08.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CHEMISTRY; CINEMATOGRAPHY; COMPOSITIONS BASED THEREON; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONSONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS; MATERIALS THEREFOR; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP

The present invention provides: a composition for forming a resist underlayer film that enables the formation of a desired resist pattern; a method for producing a resist pattern, the method using this resist underlayer film-forming composition; and a method for producing a semiconductor device. A resist underlayer film-forming composition which contains a solvent and a polymer that has a unit structure represented by formula (1). (In formula (1), each of A1, A2, A3, A4, A5 and A6 independently represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group; R1 represents a tetravalent organic group; Q1 represents a divalent organic group; L1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms; and Ar1 represents an aryl group which may be substituted by a substituent, while having 6 to 40 carbon atoms.) La présente invention concerne : une composition pour former un film de sous-couche de réserve qui permet la formation d'un motif de réserve souhaité ; un procédé de production d'un motif de réserve, le procédé utilisant cette composition pour former un film de sous-couche de réserve ; et un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur. L'invention concerne également une composition pour former un film de sous-couche de réserve qui contient un solvant et un polymère qui présente une structure unitaire représentée par la formule (1). (Dans la formule (1), chacun parmi A1, A2, A3, A4, A5 et A6 représente indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe méthyle ou un groupe éthyle ; R1 représente un groupe organique tétravalent ; Q1 représente un groupe organique divalent ; L1 représente une liaison simple ou un groupe alkylène ayant 1 à 10 atomes de carbone ; et Ar1 représente un groupe aryle qui peut être substitué par un substituant, tout en ayant de 6 à 40 atomes de carbone). 所望のレジストパターンを形成できるレジスト下層膜を形成するための組成物、及び該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジストパターン製造方法、半導体装置の製造方法を提供すること。下記式（１）： （式（１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立に水素原子、メチル基又はエチル基を表し、Ｒ１は４価の有機基を表し、Ｑ１は２価の有機基を表し、Ｌ１は単結合又は炭素原子数１～１０のアルキレン基を表し、Ａｒ１は置換基で置換されていてもよい炭素原子数６～４０のアリール基を表す。） で表される単位構造を有するポリマー、及び溶剤を含む、レジスト下層膜形成組成物である。