STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF STRUCTURE

• Main Authors: ABE, Shohei, UOMOTO, Miyuki, TAKAHASHI, Yuichi, SHIMATSU, Takehito
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.08.2022
• Subjects: CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PERFORMING OPERATIONS; SOLDERING OR UNSOLDERING; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

This structure is provided with: a first substrate; a second substrate which is arranged opposite of the first substrate; and a bonding layer which, disposed between the first substrate and the second substrate, contains in the layer a first metal element with a -330 (kJ/mol of compounds) or higher free energy (ΔG) of oxide formation at room temperature and a 1x10-55(m2/s) or higher self-diffusion coefficient (D) at room temperature, and a second metal element with a free energy (ΔG) of oxide formation at room temperature lower than the free energy (ΔG) of oxide formation at room temperature of the first metal element. L'invention concerne une structure qui comprend : un premier substrat ; un second substrat qui est disposé en regard du premier substrat ; et une couche de liaison qui, disposée entre le premier substrat et le second substrat, contient dans la couche un premier élément métallique présentant une énergie libre (ΔG) de formation d'oxyde à température ambiante supérieure ou égale à -330 (kJ/mol de composés) et un coefficient d'autodiffusion (D) à température ambiante supérieur ou égal à 1x10-55 (m2/s), et un second élément métallique présentant une énergie libre (ΔG) de formation d'oxyde à température ambiante inférieure à l'énergie libre (ΔG) de formation d'oxyde à température ambiante du premier élément métallique. 本開示の一実施形態の構造体は、第１基体と、第１基体と対向配置された第２基体と、第１基体と第２基体との間に設けられ、層内に、室温における酸化物の生成自由エネルギー（ΔＧ）が－３３０（ｋＪ／ｍｏｌ　ｏｆ　ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）以上、且つ、室温における自己拡散係数（Ｄ）が１×１０－５５（ｍ２／ｓ）以上の第１金属元素と、第１金属元素の室温における酸化物の生成自由エネルギー（ΔＧ）よりも小さな、室温における酸化物の生成自由エネルギー（ΔＧ）を有する第２金属元素と含む層を有する接合層とを備える。