NONVOLATILE STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: ARATANI, Katsuhisa, SONE, Takeyuki, MIZUGUCHI, Tetsuya, SUMINO, Jun
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.07.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a nonvolatile storage device that is capable of high performance. This nonvolatile storage device comprises a first electrode, a memory material layer, a second electrode, and a first buffer layer. The memory material layer includes a first element and is provided on the first electrode. The second electrode is provided on the memory material layer. The first buffer layer is provided between the memory material layer and the second electrode. The segregation of the first element in the first buffer layer is lower than the segregation of the first element in the second electrode. L'invention concerne une mémoire non volatile qui est capable de hautes performances. Cette mémoire non volatile comprend une première électrode, une couche de matériau de mémoire, une seconde électrode et une première couche tampon. La couche de matériau de mémoire comprend un premier élément et est disposée sur la première électrode. La seconde électrode est disposée sur la couche de matériau de mémoire. La première couche tampon est disposée entre la couche de matériau de mémoire et la seconde électrode. La ségrégation du premier élément dans la première couche tampon est inférieure à la ségrégation du premier élément dans la seconde électrode. 高性能を実現することができる不揮発性記憶装置を提供する。不揮発性記憶装置は、第１電極と、メモリ材料層と、第２電極と、第１緩衝層とを備えている。メモリ材料層は、第１元素を含み、第１電極上に設けられている。第２電極はメモリ材料層上に設けられている。そして、第１緩衝層はメモリ材料層と第２電極との間に設けられている。第１緩衝層では、第２電極における第１元素の偏析よりも、第１元素の偏析が小さい。