SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SAKURAI Yosuke, HAMASAKI Ryutaro, YAMADA Takuya, OZAKI Daisuke, NOGUCHI Seiji, IKURA Yoshihiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.07.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device that is provided with a semiconductor substrate. The semiconductor substrate has active parts, an outer peripheral well region, and trench parts. The active parts each have a center portion having an emitter region of a first conductive type, and an outer peripheral portion surrounding the center portion. The center portion has an active-side bottom region of a second conductive type provided across the bottoms of at least two trench parts. The outer peripheral portion has an outer-peripheral side bottom region that is of the second conductive type, that is provided on the bottom of the trench parts, that is electrically connected to the outer peripheral well region, and that extends toward the active-side bottom region. The active-side bottom region and the outer-peripheral side bottom region are provided away from each other. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui est pourvu d'un substrat semi-conducteur. Le substrat semi-conducteur possède des parties actives, une région de puits périphérique externe et des parties tranchées. Les parties actives comportent chacune une partie centrale présentant une région émettrice d'un premier type de conductibilité, et une partie périphérique externe entourant la partie centrale. La partie centrale possède une région fond côté actif d'un second type de conductibilité disposée à travers les fonds d'au moins deux parties tranchées. La partie périphérique externe comporte une région fond de côté périphérique externe qui est du second type de conductibilité, qui est disposée sur le fond des parties tranchées, qui est électriquement connectée à la région de puits périphérique externe, et qui s'étend vers la région fond côté actif. La région fond côté actif et la région fond côté périphérique externe sont disposées à distance l'une de l'autre. 半導体基板を備える半導体装置であって、半導体基板は、活性部と、外周ウェル領域と、トレンチ部とを有し、活性部は、第１導電型のエミッタ領域を有する中央部と、中央部を囲む外周部とを有し、中央部は、少なくとも２つのトレンチ部の底部にわたって設けられた第２導電型の活性側底部領域を有し、外周部は、外周ウェル領域と電気的に接続し、活性側底部領域に向かい、トレンチ部の底部に設けられた第２導電型の外周側底部領域を有し、活性側底部領域と外周側底部領域は、離れて設けられている半導体装置を提供する。