HIGH-FREQUENCY MODULE AND COMMUNICATION DEVICE

• Main Author: YAMAGUCHI, Yukiya
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.07.2022
• Subjects: AMPLIFIERS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSMISSION

A high-frequency module (1) equipped with a module substrate (91) having main surfaces (91a, 91b) which oppose one another, also equipped with a plurality of post electrodes (150) arranged on the main surface (91b), and further equipped with a power amplification component (10) positioned on the main surface (91b), wherein the power amplification component (10) is equipped with: a substrate (101) having main surfaces (101a, 101b) which oppose one another and are positioned in a manner such that the main surface (101a) is located between the main surface (91b) and the main surface (101b); an amplification transistor (110) formed on the substrate (101) on the main surface (101b) side thereof; and a metal electrode (102) connected to the amplification transistor (110) and positioned on the main surface (101b). L'invention concerne un module haute fréquence (1) équipé d'un substrat de module (91) ayant des surfaces principales (91a, 91b) qui sont opposées l'une à l'autre, équipé également d'une pluralité d'électrodes de post-traitement (150) disposées sur la surface principale (91b) et en outre équipé d'un composant d'amplification de puissance (10) positionné sur la surface principale (91b), le composant d'amplification de puissance (10) étant équipé : d'un substrat (101) ayant des surfaces principales (101a, 101b) qui sont opposées l'une à l'autre et sont positionnées de telle sorte que la surface principale (101a) est située entre la surface principale (91b) et la surface principale (101b) ; un transistor d'amplification (110) formé sur le substrat (101) sur le côté de la surface principale (101b) de celui-ci ; et une électrode métallique (102) connectée au transistor d'amplification (110) et positionnée sur la surface principale (101b). 高周波モジュール（１）は、互いに対向する主面（９１ａ及び９１ｂ）を有するモジュール基板（９１）と、主面（９１ｂ）に配置された複数のポスト電極（１５０）と、主面（９１ｂ）に配置された電力増幅部品（１０）と、を備え、電力増幅部品（１０）は、互いに対向する主面（１０１ａ）及び（１０１ｂ）を有し、主面（１０１ａ）は、主面（９１ｂ）及び主面（１０１ｂ）の間に位置する基材（１０１）と、基材（１０１）の主面（１０１ｂ）側に形成された増幅トランジスタ（１１０）と、主面（１０１ｂ）に配置され、増幅トランジスタ（１１０）に接続された金属電極（１０２）と、を備える。