THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT ARRAY, INFRARED SENSOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT

• Main Authors: KADONO Koji, OOISHI Ryota, IMAIZUMI Shinji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.07.2022
• Subjects: COLORIMETRY; ELECTRICITY; MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT,POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED,VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; MEASURING; PHYSICS; RADIATION PYROMETRY; TESTING

Provided is a thermoelectric conversion element capable of achieving both high sensitivity and high-speed responsiveness.　A thermoelectric conversion element 10 comprises: a substrate 11; a high-temperature-side first electrode 12 disposed on a surface of the substrate 11; a low-temperature-side second electrode 13 disposed on the surface of the substrate 11; a thermal conductor 14 linking the first electrode 12 and the second electrode 13, and containing a nanostructure; and an absorption film 15 that is formed on a surface of the first electrode 12 and absorbs incident light. The thermal conductor 14 is provided at a position separated from the substrate 11. In the thermoelectric conversion element 10, the absorption film 15 may be an infrared absorption film and the wavelength of the incident light may be in the range of 4 to 12 μm. La présente invention concerne un élément de conversion thermoélectrique qui permet d'obtenir à la fois une sensibilité élevée et une réactivité à grande vitesse.　Un élément de conversion thermoélectrique 10 comprend : un substrat 11 ; une première électrode 12 côté haute température disposée sur une surface du substrat 11 ; une seconde électrode 13 côté basse température disposée sur la surface du substrat 11 ; un conducteur thermique 14 reliant la première électrode 12 et la seconde électrode 13, et contenant une nanostructure ; et un film d'absorption 15 qui est formé sur une surface de la première électrode 12 et absorbe la lumière incidente. Le conducteur thermique 14 est disposé à une position séparée du substrat 11. Dans l'élément de conversion thermoélectrique 10, le film d'absorption 15 peut être un film d'absorption infrarouge et la longueur d'onde de la lumière incidente peut être comprise dans la plage de 4 à 12 µm. 高感度および高速応答が両立できる熱電変換素子を提供すること。　熱電変換素子１０は、基板１１と、基板１１の表面に配置された高温側の第１電極１２と、基板１１の表面に配置された低温側の第２電極１３と、第１電極１２および第２電極１３の間を連結し、ナノ構造体を含有する熱伝導体１４と、第１電極１２の表面に成膜され、入射光を吸収する吸収膜１５と、を備える。熱伝導体１４は、基板１１と離間した位置に設けられている。熱電変換素子１０は、吸収膜１５が、赤外線吸収膜であってよく、入射光の波長が、４μm～１２μmの範囲であってよい。