HEATING PART OF SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE, CONVECTION PATTERN CONTROL METHOD FOR SILICON MELT, SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD, SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE, AND CONVECTION PATTERN CONTROL SYSTEM FOR SILICON MELT

• Main Authors: YOKOYAMA Ryusuke, SUGIMURA Wataru
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.06.2022
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A heating part (1) heats a silicon melt (M) within a quartz crucible (4B). This heating part (1) has a heat-procuding part (11) that is integrally molded in a cylindrical shape, and four power supply parts (12A-12D) that supply power to the heat-producing part (11). When the heating part (1) is divided in half by a virtual surface (VS) that is along the center axis (CA) of the heat-producing part (11), is perpendicular to the heat-producing part (11), and is parallel to a magnetic force line at the center of a horizontal magnetic field applied to the silicon melt (M), the heat production quantity of a first heating region (1A) that is located on one side of the virtual surface (VS) and the heat production quantity of a second heating region (1B) that is located on the other side of the virtual surface (VS) are configured as different values. Une partie de chauffage (1) chauffe une masse fondue de silicium (M) se situant dans un creuset en quartz (4B). Cette partie de chauffage (1) comporte une partie produisant de la chaleur (11) qui est moulée d'une seule pièce et présente une forme cylindrique, et quatre parties d'alimentation électrique (12A-12D) qui fournissent de l'énergie électrique à la partie de production de chaleur (11). Lorsque la partie de chauffage (1) est divisée en deux par une surface virtuelle (VS) se situant le long de l'axe central (CA) de la partie produisant de la chaleur (11), est perpendiculaire à la partie produisant de la chaleur (11) et est parallèle à une ligne de force magnétique se situant au centre d'un champ magnétique horizontal appliqué à la masse fondue de silicium (M), la quantité de production de chaleur d'une première région de chauffage (1A) qui se situe d'un côté de la surface virtuelle (VS) et la quantité de production de chaleur d'une seconde région de chauffage (1B) qui se situe de l'autre côté de la surface virtuelle (VS) présentent des valeurs différentes. 加熱部（１）は、石英ルツボ（４Ｂ）内のシリコン融液（Ｍ）を加熱する。この加熱部（１）は、円筒状に一体成型されている発熱部（１１）と、発熱部（１１）に電力を供給する４個の電力供給部（１２Ａ～１２Ｄ）とを有する。発熱部（１１）の中心軸線（ＣＡ）を通り、発熱部（１１）に垂直であって、かつ、シリコン融液（Ｍ）に印加される水平磁場の中心の磁力線と平行な仮想面（ＶＳ）で加熱部（１）を２分割した場合、仮想面（ＶＳ）の一方に位置する第１の加熱領域（１Ａ）の発熱量と、仮想面（ＶＳ）の他方に位置する第２の加熱領域（１Ｂ）の発熱量とが異なる値に設定されている。