METHOD FOR FORMING METAL BODY, METAL BODY, AND MATING-CONNECTION TERMINAL COMPRISING SAID METAL BODY

• Main Authors: KONDOH Shigeki, TACHIBANA Yoshie, IWAMOTO Hiroyuki, TSUCHIYA Masato, MUNEKATA Osamu, TSURUTA Kaichi, NAKAMURA Katsuji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.06.2022
• Subjects: APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CURRENT COLLECTORS; ELECTRICITY; ELECTROFORMING; ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; LINE CONNECTORS; METALLURGY; PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTIONOF COATINGS

Provided are: a method that is for forming a metal body and that is capable of quickly forming a metal body in which the occurrence of whiskers due to external stress is inhibited; a metal body; and a mating-connection terminal comprising the metal body. This method is for forming a metal body in which a barrier layer and a metal-plating layer are layered on the metal substrate in the stated order. Said method comprises: a barrier layer-layering step for layering, on a metal base, a barrier layer containing Ni as a main component; and a metal-plating layer-layering step for subjecting the barrier layer to a PR plating treatment, in which the current density is 1-50 A/dm2, the duty ratio is more than 0.8 but less than 1, and the ratio of the current density of the forward current to the current density of the backward current is current densityforward current:current densitybackward current = 1:0.5 to 1:3, and thereafter, subjecting the barrier layer to a DC plating treatment, in which the current density is 1-50 A/dm2, to layer a metal plating layer on the barrier layer. L'invention concerne : un procédé qui est destiné à former un corps métallique et qui est capable de former rapidement un corps métallique dans lequel l'apparition de trichites due à une contrainte externe est inhibée; un corps métallique; et une borne de connexion homologue comprenant le corps métallique. Ce procédé est destiné à former un corps métallique dans lequel une couche barrière et une couche de placage métallique sont stratifiées sur le substrat métallique dans l'ordre indiqué. Ledit procédé comprend : une étape de stratification de couche barrière pour la stratification, sur une base métallique, d'une couche barrière contenant du Ni en tant que constituant principal; et une étape de stratification de couche de placage métallique pour soumettre la couche barrière à un traitement de placage PR, dans lequel la densité de courant va de 1 à 50 A/dm22, le rapport cyclique est supérieur à 0,8 mais inférieur à 1, et le rapport de la densité de courant du courant direct à la densité de courant du courant inverse, à savoir densité de courant courant direct:densité de courantcourant inverse, va de 1:0.5 à 1:3, après quoi la couche barrière est soumise à un traitement de placage en courant continu, dans lequel la densité de courant est de 1 à 50 A/dm 2, pour déposer une couche de placage métallique sur la couche barrière. 外部応力に起因するウィスカの発生が抑制される金属体を短時間で形成することができる金属体の形成方法および金属体、ならびにその金属体を備える嵌合型接続端子を提供する。金属体の形成方法は、金属基材に、バリア層および金属めっき層がこの順で積層されてなる金属体を形成する方法である。金属基材に、主成分がＮｉであるバリア層を積層するバリア層積層工程と、バリア層に、電流密度が１～５０Ａ／ｄｍ２であり、Ｄｕｔｙ比が０．８超１未満であり、正電流の電流密度と逆電流の電流密度との比は、電流密度正電流：電流密度逆電流＝１：０．５～１：３であるＰＲめっき処理を施した後、電流密度が１～５０Ａ／ｄｍ２である直流めっき処理を施して金属めっき層を積層する金属めっき層積層工程とを備える。