IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE

• Main Authors: MIYAKE, Shinichi, HONJO, Akiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention reduces the size of an imaging element formed by layering a plurality of semiconductor substrates. This imaging element includes a first semiconductor substrate and a second semiconductor substrate. The first semiconductor substrate comprises a photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion of incident light. The second semiconductor substrate has the first semiconductor substrate layered on the rear surface side thereof and comprises a pixel circuit for generating a pixel signal corresponding to the charge generated by photoelectric conversion, an element-isolating region for isolating the elements of the pixel circuit, and a high impurity concentration region that is arranged below the element-isolating region, formed so as to have a high concentration of impurities, and connected with the first semiconductor substrate for the purpose of sharing the reference potential. La présente invention réduit la taille d'un élément d'imagerie formé par stratification d'une pluralité de substrats semi-conducteurs. Cet élément d'imagerie comprend un premier substrat semi-conducteur et un second substrat semi-conducteur. Le premier substrat semi-conducteur comprend une unité de conversion photoélectrique qui effectue une conversion photoélectrique de lumière incidente. Le second substrat semi-conducteur a le premier substrat semi-conducteur stratifié sur le côté surface arrière de celui-ci et comprend un circuit de pixel pour générer un signal de pixel correspondant à la charge générée par conversion photoélectrique, une région d'isolation d'élément pour isoler les éléments du circuit de pixel, et une région à concentration élevée en impuretés qui est placée en dessous de la région d'isolation d'élément, formée de manière à avoir une concentration élevée en impuretés, et connectée au premier substrat semi-conducteur dans le but de partager le potentiel de référence. 複数の半導体基板が積層されて構成される撮像素子を小型化する。撮像素子は、第１の半導体基板及び第２の半導体基板を有する。第１の半導体基板は、入射光の光電変換を行う光電変換部を備える。第２の半導体基板は、光電変換により生成される電荷に応じた画像信号を生成する画素回路、当該画素回路の素子を分離する素子分離領域及び当該素子分離領域の下層に配置されるとともに高い不純物濃度に構成されて基準電位を共通にするために第１の半導体基板と接続される領域である高不純物濃度領域を備えて裏面側に第１の半導体基板が積層される。