HIGH-FREQUENCY MODULE AND COMMUNICATION DEVICE

• Main Authors: ARAYASHIKI, Satoshi, YOSHIMI, Shunji, TAKEMATSU, Yuji, TSUDA, Motoji, AOIKE, Masayuki, SAMATA, Mitsunori, GOTO, Satoshi, UEJIMA, Takanori, YAMAGUCHI, Yukiya
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSMISSION

A high frequency module (1A) comprises: a module substrate (91) having main surfaces (91a, 91b) opposing each other; a first base material (10) at least a portion of which is made of a first semiconductor material, and on which an electronic circuit is formed; a second base material (20) at least a portion of which is made of a second semiconductor material differing from the first semiconductor material, and on which a power amplifier (21) is formed; and a switch (52) connected to the output terminal of the power amplifier (21). The first base material (10) is disposed on the main surface (91a); the second base material (20) is disposed between the module substrate (91) and the first base material (10), is joined to the first base material (10), and is connected to the main surface (91a) via an electrode (23), and the switch (52) is disposed on the main surface (91b). Un module haute fréquence (1A) comprend : un substrat de module (91) ayant des surfaces principales (91a, 91b) opposées l'un à l'autre ; un premier matériau de base (10) dont au moins une partie est constituée d'un premier matériau semi-conducteur, et sur lequel est formé un circuit électronique ; un second matériau de base (20) dont au moins une partie est constituée d'un second matériau semi-conducteur différent du premier matériau semi-conducteur, et sur lequel un amplificateur de puissance (21) est formé ; et un commutateur (52) connecté à la borne de sortie de l'amplificateur de puissance (21). Le premier matériau de base (10) est disposé sur la surface principale (91a) ; le second matériau de base (20) est disposé entre le substrat de module (91) et le premier matériau de base (10), est relié au premier matériau de base (10), et est relié à la surface principale (91a) par l'intermédiaire d'une électrode (23), et le commutateur (52) est disposé sur la surface principale (91b). 高周波モジュール（１Ａ）は、互いに対向する主面（９１ａおよび９１ｂ）を有するモジュール基板（９１）と、少なくとも一部が第１半導体材料で構成され、電子回路が形成された第１基材（１０）と、少なくとも一部が第１半導体材料と異なる第２半導体材料で構成され、電力増幅器（２１）が形成された第２基材（２０）と、電力増幅器（２１）の出力端子に接続されたスイッチ（５２）と、を備え、第１基材（１０）は主面（９１ａ）に配置されており、第２基材（２０）は、モジュール基板（９１）および第１基材（１０）の間に配置され、第１基材（１０）と接合されており、電極（２３）を介して主面（９１ａ）に接続されており、スイッチ（５２）は主面（９１ｂ）に配置されている。