PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE

• Main Authors: TAKAGI Shin-ichiro, YAMADA Atsunori
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the present invention, a transfer unit of a photoelectric conversion device includes: a first transfer region that transfers charges along a first line; a second transfer region that transfers charges along a second line; a third transfer region that transfers charges along a third line; a first transfer electrode; and a second transfer electrode. The third line deviates from at least one of the first line and the second line. The third transfer region includes a first semiconductor region having a first impurity concentration and a second semiconductor region having a second impurity concentration higher than the first impurity concentration. The second semiconductor region extends along the third line to be widened on the second transfer region side. The first semiconductor region is disposed on both sides of the second semiconductor region. Selon la présente invention, une unité de transfert d'un dispositif de conversion photoélectrique comprend : une première région de transfert qui transfère des charges le long d'une première ligne ; une deuxième région de transfert qui transfère des charges le long d'une deuxième ligne ; une troisième région de transfert qui transfère des charges le long d'une troisième ligne ; une première électrode de transfert ; et une seconde électrode de transfert. La troisième ligne s'écarte de la première ligne et/ou de la deuxième ligne. La troisième région de transfert comprend une première région semi-conductrice ayant une première concentration en impuretés et une seconde région semi-conductrice ayant une seconde concentration en impuretés supérieure à la première concentration en impuretés. La seconde région semi-conductrice s'étend le long de la troisième ligne pour être élargie sur le côté deuxième région de transfert. La première région semi-conductrice est placée sur les deux côtés de la seconde région semi-conductrice. 光電変換装置の転送部は、第１ラインに沿って電荷を転送する第１転送領域と、第２ラインに沿って電荷を転送する第２転送領域と、第３ラインに沿って電荷を転送する第３転送領域と、第１転送電極と、第２転送電極と、を有する。第３ラインは、第１ライン及び第２ラインの少なくとも一方のライン上からずれている。第３転送領域は、第１不純物濃度を有する第１半導体領域と、第１不純物濃度よりも高い第２不純物濃度を有する第２半導体領域と、を含む。第２半導体領域は、第２転送領域側において拡幅されるように、第３ラインに沿って延在している。第１半導体領域は、第２半導体領域の両側に配置されている。