METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A SIC SOLID MATERIAL

• Main Authors: SCHAAFF, Friedrich, CERAN, Kagan, TIEFEL, Hilmar Richard, CRÖSSMANN, Ivo
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 16.06.2022
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; CRYSTAL GROWTH; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

The present invention relates to a method for producing a preferably elongated SiC solid, in particular of polytype 3C. The method according to the invention preferably comprises at least the following steps: Introducing at least a first source gas into a process chamber, said first source gas comprising Si, introducing at least one second source gas into the process chamber, the second source gas comprising C, electrically energizing at least one separator element disposed in the process chamber to heat the separator element, setting a deposition rate of more than 200µm/h, wherein a pressure in the process chamber of more than 1 bar is generated by the introduction of the first source gas and/or the second source gas, and wherein the surface of the deposition element is heated to a temperature in the range between 1300°C and 1800°C. La présente invention concerne un procédé de production d'un solide de SiC de préférence allongé, en particulier de polytype 3C. Le procédé selon l'invention comprend de préférence au moins les étapes suivantes consistant à : introduire au moins un premier gaz source dans une chambre de traitement, ledit premier gaz source comprenant du Si, introduire au moins un second gaz source dans la chambre de traitement, le second gaz source comprenant du C, exciter électriquement au moins un élément séparateur disposé dans la chambre de traitement pour chauffer l'élément séparateur, régler une vitesse de dépôt supérieure à 200 µm/h, une pression dans la chambre de traitement de plus de 1 bar étant générée par l'introduction du premier gaz source et/ou du second gaz source, et la surface de l'élément de dépôt étant chauffée à une température s'inscrivant dans la plage de 1 300 °C à 1 800 °C.