PHOTODIODE DEVICE WITH ENHANCED CHARACTERISTICS

• Main Authors: MEINHARDT, Gerald, DIERSCHKE, Eugene G, ROGER, Frederic, JONAK-AUER, Ingrid
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 16.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A photodiode device (1) comprises a semiconductor substrate (2) with a main surface (3), the semiconductor substrate (2) being of a first type of electric conductivity. The main surface (3) comprises at least one incidence area (4) for electromagnetic radiation. A plurality of doped wells (5) of a second type of electric conductivity are arranged at the main surface (3) of the substrate (2), the second type of electric conductivity being opposite to the first type of electric conductivity. The doped wells (5) and the substrate (2) are electrically contactable. The doped wells (5) are arranged along a perimeter of the at least one incidence area (4), such that a center region (6) of the incidence area (4) is free from the doped wells (5). Un dispositif à photodiode (1) comprend un substrat semi-conducteur (2) comportant une surface principale (3), le substrat semi-conducteur (2) étant d'un premier type de conductivité électrique. La surface principale (3) comprend au moins une zone d'incidence (4) d'un rayonnement électromagnétique. Une pluralité de puits dopés (5), d'un second type de conductivité électrique, est disposée au niveau de la surface principale (3) du substrat (2), le second type de conductivité électrique étant opposé au premier type de conductivité électrique. Les puits dopés (5) et le substrat (2) peuvent être mis en contact électrique. Les puits dopés (5) sont disposés le long d'un périmètre de la ou des zones d'incidence (4), de sorte qu'une région centrale (6) de la zone d'incidence (4) soit exempte de puits dopés (5).