PHOTODIODE DEVICE WITH HIGH RESPONSIVITY

• Main Authors: MEINHARDT, Gerald, DIERSCHKE, Eugene G, ROGER, Frederic, JONAK-AUER, Ingrid
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 16.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A photodiode device (1) comprises a semiconductor substrate (2) with a main surface (3), the semiconductor substrate (2) being of a first type of electric conductivity. At least one doped well (6) of a second type of electric conductivity is arranged at the main surface (3) of the substrate (2), the second type of electric conductivity being opposite to the first type of electric conductivity. The at least one doped well (6) and the substrate (2) are electrically contactable. A cover layer (10) is arranged on the main surface (3) of the substrate (2). The cover layer (10) is at least one of an epi-layer (11) of the first type of electric conductivity and a dielectric surface passivation layer (15) comprising a plurality of space charges, or a combination thereof. La présente invention concerne un dispositif de photodiode (1) qui comprend un substrat semi-conducteur (2) ayant une surface principale (3), le substrat semi-conducteur (2) étant d'un premier type de conductivité électrique. Au moins un puits dopé (6) d'un second type de conductivité électrique est agencé au niveau de la surface principale (3) du substrat (2), le second type de conductivité électrique étant opposé au premier type de conductivité électrique. Le au moins un puits dopé (6) et le substrat (2) peuvent être mis en contact électrique. Une couche de recouvrement (10) est agencée sur la surface principale (3) du substrat (2). La couche de recouvrement (10) est une couche épitaxiale (11) du premier type de conductivité électrique et/ou une couche de passivation de surface diélectrique (15) comprenant une pluralité de charges spatiales ou une combinaison de celles-ci.