METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE
Methods and apparatus for far edge trimming are provided herein. For example, an apparatus includes an integrated tool for processing a silicon substrate, comprising a vacuum substrate transfer chamber, an edge trimming apparatus coupled to the vacuum substrate transfer chamber and comprising a high...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
09.06.2022
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Summary: | Methods and apparatus for far edge trimming are provided herein. For example, an apparatus includes an integrated tool for processing a silicon substrate, comprising a vacuum substrate transfer chamber, an edge trimming apparatus coupled to the vacuum substrate transfer chamber and comprising a high pulse frequency laser and substrate support, wherein at least one of the high pulse frequency laser or the substrate support are movable with respect to each other and configured to trim about 2 mm to about 5 mm from a peripheral edge of a substrate when disposed on the substrate support, and a plasma etching apparatus coupled to the vacuum substrate transfer chamber and configured to etch silicon.
La présente invention concerne un procédé et un appareil d'ébavurage de bords éloignés. Par exemple, un appareil inclut un outil intégré destiné à traiter un substrat de silicium, comprenant une chambre à vide de transfert de substrat, un appareil d'ébavurage de bord couplé à la chambre à vide de transfert de substrat et comprenant un laser à haute fréquence d'impulsions et un support de substrat, tel qu'au moins un composant parmi le laser à haute fréquence d'impulsions ou le support de substrat sont mobiles l'un par rapport à l'autre et servant à ébavurer entre environ 2 mm et environ 5 mm d'un bord périphérique d'un substrat lorsqu'il est disposé sur le support de substrat, et un appareil de gravure par plasma couplé à la chambre à vide de transfert de substrat et servant à graver du silicium. |
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Bibliography: | Application Number: WO2021US55355 |