SEMICONDUCTOR DEVICE

This semiconductor device is provided with: a substrate having a main surface; a first wiring layer disposed on the main surface; a second wiring layer disposed on the main surface and spaced apart from the first wiring layer; a first semiconductor element that has a first main surface electrode and...

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Main Authors OKAWAUCHI Yuta, NAKAHARA Ken, OTSUKA Takukazu, SAKAI Hiroto
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 09.06.2022
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Summary:This semiconductor device is provided with: a substrate having a main surface; a first wiring layer disposed on the main surface; a second wiring layer disposed on the main surface and spaced apart from the first wiring layer; a first semiconductor element that has a first main surface electrode and a first back surface electrode located on the opposite sides to each other, the first back surface electrode being joined to the first wiring layer; a second semiconductor element that has a second main surface electrode and a second back surface electrode located on the opposite sides to each other, the second back surface electrode being joined to the second wiring layer; and a conductive member spaced apart from the substrate and joined to the first main surface electrode and the second main surface electrode. The polarities of the first main surface electrode and the second main surface electrode are different from each other. The substrate includes an exposing part located between the first wiring layer and the second wiring layer. When viewed in a thickness direction of the substrate, the conductive member overlaps with the exposing part. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : un substrat ayant une surface principale ; une première couche de câblage disposée sur la surface principale ; une seconde couche de câblage disposée sur la surface principale et espacée de la première couche de câblage ; un premier élément semi-conducteur qui comprend une première électrode de surface principale et une première électrode de surface arrière situées sur des côtés opposés l'un à l'autre, la première électrode de surface arrière étant reliée à la première couche de câblage ; un second élément semi-conducteur qui comprend une seconde électrode de surface principale et une seconde électrode de surface arrière situées sur des côtés opposés l'un à l'autre, la seconde électrode de surface arrière étant reliée à la seconde couche de câblage ; et un élément conducteur espacé du substrat et relié à la première électrode de surface principale et à la seconde électrode de surface principale. Les polarités de la première électrode de surface principale et de la seconde électrode de surface principale sont différentes l'une de l'autre. Le substrat comprend une partie d'exposition située entre la première couche de câblage et la seconde couche de câblage. Vu dans une direction d'épaisseur du substrat, l'élément conducteur chevauche la partie d'exposition 半導体装置は、主面を有する基板と、前記主面に配置された第1配線層と、前記主面に配置され且つ前記第1配線層から離間する第2配線層と、互いに反対側に位置する第1主面電極および第1裏面電極を有するとともに、前記第1裏面電極が前記第1配線層に接合された第1半導体素子と、互いに反対側に位置する第2主面電極および第2裏面電極を有するとともに、前記第2裏面電極が前記第2配線層に接合された第2半導体素子と、前記基板から離間し且つ前記第1主面電極と前記第2主面電極とに接合された導電部材と、を備える。前記第1主面電極および前記第2主面電極の極性は互いに異なる。前記基板は、前記第1配線層と前記第2配線層との間に位置する露出部を含み、当該基板の厚さ方向に視て、前記導電部材が前記露出部に重なる。
Bibliography:Application Number: WO2021JP41692