MEASURING DEVICE AND METHOD FOR MEASURING PARAMETERS OF A PIEZOELECTRIC CRYSTAL ONTO WHICH A THIN FILM OF MATERIAL IS DEPOSITED AS WELL AS THIN-FILM DEPOSITION SYSTEMS WITH SUCH A DEVICE AND A METHOD FOR CONTROLLING SUCH SYSTEMS
The present invention is directed to a measuring device (u) for measuring parameters of a piezoelectric crystal (1) onto which a thin film of material is deposited (under vacuum), comprising said crystal (1) with two spaced-apart electrodes (2, 2'), onto which crystal (1) said film of material...
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Format | Patent |
Language | English French |
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09.06.2022
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Summary: | The present invention is directed to a measuring device (u) for measuring parameters of a piezoelectric crystal (1) onto which a thin film of material is deposited (under vacuum), comprising said crystal (1) with two spaced-apart electrodes (2, 2'), onto which crystal (1) said film of material is deposited, a frequency generator (3) adapted to generate an oscillator signal at a specified output frequency, a measuring amplifier (4) adapted to apply said oscillator signal as a drive signal to one of said electrodes (2, 2') of said crystal (1) and to provide a crystal output signal in response to said drive signal, a quadrature demodulator adapted to down convert said crystal output signal and to provide an in-phase output signal and a quadrature output signal, a computation unit (7) adapted to determine one or more parameters of said crystal (1) based on said in-phase output signal and said quadrature output signal. Furthermore, the present invention pertains to a corresponding measuring method as well as to thin-film deposition systems (comprising a vacuum chamber) with such a device (u) and methods for controlling such systems.
La présente invention concerne un dispositif de mesure (u) pour mesurer des paramètres d'un cristal piézoélectrique (1) sur lequel un film mince de matériau est déposé (sous vide), comprenant ledit cristal (1) avec deux électrodes espacées (2, 2'), ledit film de matériau étant déposé sur ledit cristal (1), un générateur de fréquence (3) conçu pour générer un signal d'oscillateur à une fréquence de sortie spécifiée, un amplificateur de mesure (4) conçu pour appliquer ledit signal d'oscillateur en tant que signal d'attaque à l'une desdites électrodes (2, 2') dudit cristal (1) et pour fournir un signal de sortie de cristal en réponse audit signal d'attaque, un démodulateur en quadrature conçu pour abaisser en fréquence ledit signal de sortie de cristal et pour fournir un signal de sortie en phase et un signal de sortie en quadrature, une unité de calcul (7) conçue pour déterminer un ou plusieurs paramètres dudit cristal sur la base dudit signal de sortie en phase et dudit signal de sortie en quadrature. En outre, la présente invention concerne un procédé de mesure correspondant ainsi que des systèmes de dépôt de films minces (comprenant une chambre à vide) avec un tel dispositif (u) et des procédés de commande de tels systèmes. |
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Bibliography: | Application Number: WO2021EP81124 |