SYSTEMS AND METHODS FOR TUNGSTEN-CONTAINING FILM REMOVAL

• Main Authors: CUI, Zhenjiang, WANG, Anchuan, REDDY, Rohan Puligoru
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.05.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Exemplary etching methods may include flowing a halogen-containing precursor into a remote plasma region of a semiconductor processing chamber while striking a plasma to produce plasma effluents. The methods may include contacting a substrate housed in a processing region with the plasma effluents. The substrate may define an exposed region of tungsten oxide. The contacting may produce a tungsten oxy-fluoride material. The methods may include flowing an etchant precursor into the processing region. The methods may include contacting the tungsten oxy-fluoride material with the etchant precursor. The methods may include removing the tungsten oxy-fluoride material. Des procédés de gravure donnés à titre d'exemple peuvent comprendre la mise en circulation d'un précurseur contenant un halogène dans une région de plasma à distance d'une chambre de traitement de semi-conducteur tout en frappant un plasma pour produire des effluents de plasma. Les procédés peuvent comprendre la mise en contact d'un substrat logé dans une région de traitement avec les effluents de plasma. Le substrat peut délimiter une région exposée d'oxyde de tungstène. La mise en contact peut produire un matériau à base d'oxyfluorure de tungstène. Les procédés peuvent comprendre la mise en circulation d'un précurseur d'agent de gravure dans la région de traitement. Les procédés peuvent comprendre la mise en contact du matériau d'oxyfluorure de tungstène avec le précurseur d'agent de gravure. Les procédés peuvent comprendre l'élimination du matériau d'oxyfluorure de tungstène.