INFRARED PHOTODETECTOR ARCHITECTURES FOR HIGH TEMPERATURE OPERATIONS

• Main Authors: MUSTAFA, Jamal, EACHUS, Bradly, SMITH, Edward P
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.05.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A photo detector having a substrate (202) and a first structure formed on the substrate. The first structure includes an emitter layer (204) formed on the substrate and a base layer (206) formed on the emitter layer. Further, the first structure includes a collector layer (208) formed on the base layer. The collector layer has a plasmonic structure. The plasmonic structure includes a first plurality of mesa structures (212). Each of the mesa structures of the first plurality of mesa structures includes a second plurality of mesa structures (220) having ridges arranged in a regularly repeating pattern. Un photodétecteur présente un substrat (202) et une première structure formée sur le substrat. La première structure comprend une couche d'émetteur (204) formée sur le substrat et une couche de base (206) formée sur la couche d'émetteur. En outre, la première structure comprend une couche de collecteur (208) formée sur la couche de base. La couche de collecteur présente une structure plasmonique. La structure plasmonique comprend une première pluralité de structures mesa (212). Chacune des structures mesa de la première pluralité de structures mesa comprend une seconde pluralité de structures mesa (220) ayant des crêtes agencées selon un motif à répétition régulière.