IMPROVED FURNACE APPARATUS FOR CRYSTAL PRODUCTION

• Main Authors: CERAN, Kagan, JEBARA, Moaine, BENAMARA, Omar, MARSAN, Didier, SYRKIN, Alexander
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.05.2022
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

The present invention refers to a furnace apparatus (100), in particular a furnace apparatus (100) for growing crystals, in particular for growing SiC crystals. The furnace apparatus comprises a furnace unit (102), wherein the furnace unit (102) comprises a furnace housing (108) at least one crucible unit (106) wherein the crucible unit (106) is arranged inside the furnace housing (108), wherein the crucible unit (106) comprises a crucible housing (110), wherein the housing (110) has an outer surface (112) and an inner surface (114), wherein the inner surface (114) at least partially defines a crucible volume (116), wherein a receiving space (118) for receiving a source material (120) is arranged or formed inside the crucible volume (116), wherein a seed holder unit (122) for holding a defined seed wafer (18) is arranged inside the crucible volume (116), and at least one heating unit (124) for heating the source material (120), wherein the receiving space (118) for receiving the source material (120) is at least in parts arranged between the heating unit (124) and the seed holder unit (122). La présente invention concerne un appareil de four (100), en particulier un appareil de four (100) pour la croissance de cristaux, en particulier pour la croissance de cristaux de SiC. L'appareil de four comprend une unité de four (102), l'unité de four (102) comprend un corps de four (108), au moins une unité creuset (106), l'unité creuset (106) étant disposée à l'intérieur du corps de four (108), l'unité creuset (106) comprend un corps de creuset (110), le corps (110) présente une surface externe (112) et une surface interne (114), la surface interne (114) définit au moins partiellement un volume de creuset (116), un espace de réception (118) destiné à recevoir un matériau source (120) est disposé ou formé à l'intérieur du volume de creuset (116), une unité de support de graines (122) pour maintenir une plaque de germe définie (18) étant disposée à l'intérieur du volume de creuset (116), et au moins une unité de chauffage (124) pour chauffer le matériau source (120), l'espace de réception (118) pour recevoir le matériau source (120) étant au moins en partie agencé entre l'unité de chauffage (124) et l'unité de support de germe (122).